[发明专利]一种高洁净无损转移石墨烯纳米带的方法

权利要求书

1.一种高洁净无损转移石墨烯纳米带的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）在Mica基底上生长Au（111）层，获得Au（111）/Mica生长基底；

2）在Au（111）层表面自组装生长单层的石墨烯纳米带，获得表面生长有无定形碳层的GNR/Au（111）/Mica样品；破坏无定形碳层使之与GNR/Au（111）/Mica样品分离；

3）将步骤2）中得到的所述GNR/Au（111）/Mica样品放置在浓盐酸溶液中，获得GNR/Au（111）样品；

4）用去离子水置换所述浓盐酸溶液后，使用负载衬底捞取所述GNR/Au（111）样品，获得GNR/Au（111）/负载衬底样品；

5）将碘化钾的碘溶液或硝基盐酸滴在GNR/Au（111）/负载衬底样品上，浸泡后将Au（111）层刻蚀去除，洗涤干燥后获得GNR/负载衬底样品。

2.根据权利要求1所述的一种高洁净无损转移石墨烯纳米带的方法，其特征在于，在步骤3处理前，还需要进行去除所述无定形碳层的处理，具体步骤包括：采用尖锐物体破坏所述GNR/Au（111）/Mica 样品的Au（111）层周边的无定形碳层，取浓度≤0.5M的碘化钾碘溶液轻刷所述尖锐物体途径的轨迹，使所述无定形碳层脱落。

3.根据权利要求2所述的一种高洁净无损转移石墨烯纳米带的方法，其特征在于：在破坏所述无定形碳层的处理步骤中，碘化钾碘溶液的浓度为0.01-0.5M。

4.根据权利要求1所述的一种高洁净无损转移石墨烯纳米带的方法，其特征在于：在步骤3浓盐酸插层处理时，在所述Au（111）边缘与所述Mica基底接触的位置滴加浓盐酸后保持容器密封。

5.根据权利要求1所述的一种高洁净无损转移石墨烯纳米带的方法，其特征在于：在步骤1之前，清除所述Mica基底表面的有机杂质及灰尘，具体步骤包括使用丙酮、无水乙醇、去离子水依次超声清洗20min。

6.根据权利要求5所述的一种高洁净无损转移石墨烯纳米带的方法，其特征在于：步骤1中，在所述Mica基底上生长所述Au（111）层的具体步骤包括：将经过清洁的所述Mica基底转移至等离子体辅助的磁控溅射仪中，更换纯金靶才，在Mica基底生长30nm厚的Au（111）层，获得Au（111）/Mica生长基底。

7.根据权利要求1所述的一种高洁净无损转移石墨烯纳米带的方法，其特征在于：步骤2中，在所述Au（111）层生长石墨烯纳米带的具体步骤包括：将步骤1获得的所述Au（111）/Mica样品转移至等离子体辅助的CVD炉中，使用乙烯作为生长源气，在所述Au（111）/Mica样品表面生长石墨烯纳米带。

8.根据权利要求1所述的一种高洁净无损转移石墨烯纳米带的方法，其特征在于：步骤5处理前，还包括对所述负载衬底上的GNR/Au（111）作平铺处理。

9.根据权利要求1-8任一权利要求所述的一种高洁净无损转移石墨烯纳米带的方法，其特征在于：所述负载衬底选用硅片；所述石墨烯纳米带为7个原子宽。