[发明专利]存储盘的水线设置方法、电子设备及存储介质

权利要求书

1.一种存储盘的水线设置方法，其特征在于，所述方法包括：

侦测执行DM-verity功能的进程；

若侦测到执行DM-verity功能的进程，获取所述进程所在存储盘的历史读写的数据量，并根据所述存储盘的历史读写的数据量确定第一系数、所述第一系数的第一水线增量值，其中所述第一系数为所述存储盘的历史读写的数据量的使用量系数；

确定运行所述进程的内核，并根据所述内核确定第二系数、所述第二系数的第二水线增量值，其中，所述第二系数的取值为所述内核的处理速率或处理频率与小核的处理速率或处理频率的比值；

根据所述第一系数、所述第一水线增量值、所述第二系数及所述第二水线增量值计算出所述存储盘的水线值，并根据计算出的水线值对所述存储盘的水线值进行动态配置。

2.如权利要求1所述的存储盘的水线设置方法，其特征在于，所述根据所述存储盘的历史读写的数据量确定第一系数、所述第一系数的第一水线增量值包括：

根据所述存储盘的历史读写的数据量查找第一关系表确定出与所述存储盘的历史读写的数据量相对应的所述第一系数、所述第一水线增量值。

3.如权利要求1所述的存储盘的水线设置方法，其特征在于，所述根据所述内核确定第二系数、所述第二系数的第二水线增量值包括：

根据所述内核查找第二关系表确定与所述内核对应的所述第二系数、所述第二水线增量值。

4.如权利要求1所述的存储盘的水线设置方法，其特征在于，所述根据所述第一系数、所述第一水线增量值、所述第二系数及所述第二水线增量值计算出所述存储盘的水线值包括：

根据公式S＝C*K+D*T计算出所述存储盘的水线值，其中，C为所述第一系数，K为所述第一水线增量值，D为所述第二系数，T为所述第二水线增量值，S为所述存储盘的水线值。

5.如权利要求1所述的存储盘的水线设置方法，其特征在于，所述存储盘的水线值包括上水线值及下水线值，所述第一水线增量值包括第一上水线增量值、第一下水线增量值，所述第二水线增量值包括第二上水线增量值、第二下水线增量值。

6.如权利要求5所述的存储盘的水线设置方法，其特征在于，所述根据所述第一系数、所述第一水线增量值、所述第二系数及所述第二水线增量值计算出所述存储盘的水线值包括：

根据公式S1＝C*K1+D*T1计算所述存储盘的上水线值，其中C为所述第一系数，K1为所述第一系数的第一上水线增量值，D为所述第二系数，T1为所述第二系数的第二上水线增量值，S1为所述存储盘的上水线值；

根据公式S2＝C*K2+D*T2计算所述存储盘的下水线值，其中K2为所述第一系数的第一下水线增量值，T2为所述第二系数的第二下水线增量值，S2为所述存储盘的下水线值；

根据计算出的存储盘的上水线值、下水线值确定出所述存储盘的水线区间范围。

7.如权利要求6所述的存储盘的水线设置方法，其特征在于，所述方法还包括：

根据所述存储盘的水线区间范围对所述存储盘的水线值进行动态配置。

8.如权利要求1所述的存储盘的水线设置方法，其特征在于，所述内核按照处理速率或处理频率分为大核、中核和小核，大核的处理速率或处理频率高于中核的处理速率或处理频率，中核的处理速率或处理频率高于小核的处理速率或处理频率。

9.如权利要求8所述的存储盘的水线设置方法，其特征在于，若运行所述进程的芯片为高端芯片，所述大核的第二系数为3.5：1，所述中核的第二系数为3：1，所述小核的第二系数为1：1。

10.如权利要求8所述的存储盘的水线设置方法，其特征在于，若运行所述进程的芯片为低端芯片，所述大核的第二系数为5：1，所述中核的第二系数为2：1，所述小核的第二系数为1：1。