[发明专利]一种引线保护件在审
申请号: | 202111093433.2 | 申请日: | 2021-09-17 |
公开(公告)号: | CN113889439A | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 杨景城;江伟;秦明柳谦;杨巧莹 | 申请(专利权)人: | 珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/16 | 分类号: | H01L23/16;H01L23/495;H01L25/16 |
代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 王卫忠;韩来兵 |
地址: | 519015 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 引线 保护 | ||
涉及半导体领域,本发明提供了一种引线保护件,安装于芯片安装架的第一安装面和第二安装面之间,所述第一安装面和第二安装面之间具有高度差;所述引线保护件包括支撑部,所述支撑部包括导引面,所述导引面的第一侧边与所述第一安装面对接,所述导引面的第二侧边向所述第二安装面的方向延伸;相比于现有技术,所述支撑部安装于所述驱动IC框架和功率芯片框架之间的间隙,并位于通过所述间隙的引线下方,靠近所述引线,在注塑时,所述支撑部能够在所述引线受到冲击产生下塌的时候用来支撑和阻挡引线,防止引线下塌时与驱动IC侧框架接触而导致引线受拉扯而损坏,所述支撑部包括倾斜设置的导引面,以适应引线的焊线走线路径,提供更好的支撑作用。
技术领域
本申请涉及半导体领域,尤其涉及一种引线保护件。
背景技术
智能功率模块(IPM)是Intelligent Power Module的缩写,内部集成驱动控制IC及由IGBT+FRD或MOSFET组成的逆变电路,是一种先进的功率开关器件,具有GTR(大功率晶体管)高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点,以及MOSFET(场效应晶体管)高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。而且IPM内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路,使用起来方便,不仅减小了系统的体积以及开发时间,也大大增强了系统的可靠性,适应了当今功率器件的发展方向——模块化、复合化和功率集成电路(PIC),在电力电子领域得到了越来越广泛的应用。
IPM的封装结构主要有:芯片、结合材、引线框架、引线及塑封料组成。其中引线一般包括有金线、铜线和铝线,由于驱动IC的芯片焊盘较小及电流较小,一般采用金线/铜线金线引线连接,而铝线一般用于电流较大的功率侧的引线连接。由于金线焊接工艺较成熟,驱动IC侧的引线连接较多是采用金线,金线线径一般很小,常用线径一般包括25um、30um、38um、42um四种。驱动IC与功率芯片的连接也是采用金线进行连接;为了考虑散热问题,功率芯片侧框架一般需要贴近散热片,所以驱动IC侧框架与功率芯片侧框架大多数情况下会设置有高度差。焊线工序之后为塑封,连接驱动IC和功率芯片的金线会经过具有所述高度差的位置,由于引线特别是金线的线径较细,在上述位置的引线极易在注塑时候的受到冲击而产生偏移和变形、甚至出现冲断现象,从而影响产品的电性功能。
发明内容
本发明提供了一种引线保护件,以解决现有技术中的,连接所述驱动IC与功率芯片之间的引线在注塑时容易被冲断的问题。
一种引线保护件,安装于芯片安装架的第一安装面和第二安装面之间,所述第一安装面和第二安装面之间具有高度差;所述引线保护件包括支撑部,所述支撑部包括导引面,所述导引面的第一侧边与所述第一安装面对接,所述导引面的第二侧边向所述第二安装面的方向延伸。
优选的,所述第一安装面在与所述第一侧边处是外凸式边角,以及/或者,所述导引面的覆盖所述第二安装面边缘的内凹式边角。
优选的,包括连接部,所述连接部包括相对设置的第一端和第二端;所述连接部的第一端与所述支撑部连接,所述连接部的第二端可拆卸安装于芯片安装架。
优选的,所述导引面为向外凸起的曲面。
优选的,所述导引面包括其上端的第一导角和其下端的第二导角。
优选的,所述导引面上间隔安装有多个挡板;所述挡板用于阻挡所述引线的偏移。
优选的,所述支撑部在无所述引线通过的部分上开设有多个通道。
优选的,所述引线保护件的材质为耐高温绝缘材料。
本发明提供一种芯片固件组件,包括:芯片安装架,
所述芯片安装架包括:
驱动IC框架,驱动IC固定于所述驱动IC框架;所述驱动IC框架位于所述第一安装面;以及,
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