[发明专利]一种NOR闪存的制作方法、电路以及其应用在审
| 申请号： | 202111092602.0 | 申请日： | 2021-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN113809005A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 任军;徐培;吕向东;盛荣华;李政达 | 申请（专利权）人： | 恒烁半导体（合肥）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538;H01L27/11521;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 合肥陆纬知识产权代理事务所(普通合伙) 34218 | 代理人： | 袁浩 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥市庐阳区天*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nor 闪存 制作方法 电路 及其 应用 | ||
1.一种NOR闪存的制作方法，包括：在硅晶圆基底上制备闪存单元，在闪存单元上覆盖制备内层绝缘层，在内层绝缘层外侧自下向上依次覆盖制备第一金属层、第二金属层和第三金属层，其特征在于，还包括在第三金属层上覆盖制备与其连通的第四金属层，其中，所述第四金属层的覆盖制备方法具体包括：
在第三金属层上按顺序依次沉积生成氮化硅层、氟硅玻璃层和氮氧化硅层；
采用预制的通孔光罩执行光刻后刻蚀形成通孔直至其与所述氮化硅层表面连通；
在氮氧化硅层上表面全涂布生成有机抗反射涂层，无光罩下直接刻蚀以去除氮氧化硅层表面的有机抗反射涂层并留存通孔中的有机抗反射涂层；
采用预制的第四金属层光罩执行光刻后刻蚀形成金属层沟道，随即清洗去除光阻以及通孔中留存的有机抗反射涂层；
无光罩下直接刻蚀去除氮氧化硅层以及通孔下方的氮化硅层直至其与所述第三金属层表面连通；
向金属层沟道和通孔中填充金属，并去除附存在氟硅玻璃层表面的金属即可。
2.根据权利要求1所述的一种NOR闪存的制作方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为所述氟硅玻璃层的厚度为所述氮氧化硅层的厚度为
3.根据权利要求1所述的一种NOR闪存的制作方法，其特征在于，所述通孔直径为200±50纳米。
4.根据权利要求1所述的一种NOR闪存的制作方法，其特征在于，所述通孔中留存的有机抗反射涂层厚度为
5.根据权利要求1所述的一种NOR闪存的制作方法，其特征在于，所述金属层沟道宽度为200-10000纳米，深度为
6.根据权利要求1所述的一种NOR闪存的制作方法，其特征在于，所述刻蚀为干法刻蚀。
7.根据权利要求1所述的一种NOR闪存的制作方法，其特征在于，所述金属层沟道和通孔中填充的金属为铜，采用电镀铜工艺将金属层沟道和通孔填满铜金属，并采用化学机械研磨工艺去除附存在氟硅玻璃层表面的金属。
8.一种NOR闪存电路，包括设置有闪存单元和三层金属层的Nor闪存电路的晶圆，其特征在于，还包括在晶圆表面采用如权利要求1-7任意一项所述的方法制备得到的第四金属层。
9.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求8所述的NOR闪存电路。
10.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的芯片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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