[发明专利]一种等离子刻蚀腔的清洗方法及应用在审

专利信息
申请号: 202111092346.5 申请日: 2021-09-17
公开(公告)号: CN115815223A 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 梁枫;杨宇新;李雪冬;刘小波;李佳鹤;彭泰彦;许开东 申请(专利权)人: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
主分类号: B08B7/00 分类号: B08B7/00;H01J37/305;H01J37/32
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 付丽
地址: 221300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 等离子 刻蚀 清洗 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种等离子刻蚀腔的清洗方法,包括以下步骤:

A)将清洗片置于完成样品加工后的等离子刻蚀腔内,通入惰性气体,进行电容耦合等离子体清洗;

B)然后通入化学清洗气体,进行电感耦合等离子体清洗;

所述化学清洗气体包括CH2F2、BCl3、CF4、NF3、SF6、Cl2、O2中的一种或几种。

2.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于,所述惰性气体包括He、Kr、Ne、Ar和Xe中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于,所述电容耦合等离子体清洗时还通入1~200sccm的O2

4.根据权利要求3所述的清洗方法,其特征在于,所述电容耦合等离子体清洗的射频功率为500~2000W,腔体压力为10~50mT,总的气体流量为100~500sccm。

5.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于,所述电感耦合等离子体清洗时还通入50~300sccm的惰性气体。

6.根据权利要求5所述的清洗方法,其特征在于,所述电感耦合等离子体清洗的射频功率为500~2000W,腔体压力为10~50mT,总的气体流量为100~500sccm。

7.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于,所述等离子刻蚀腔内设置有与窗口平行的电极,所述窗口外部设置有法拉第屏蔽装置和射频线圈。

8.如权利要求1所述的清洗方法在清洗等离子刻蚀腔内金属和SiO混合沾污时的应用。

9.根据权利要求8所述的应用,其特征在于,所述金属和SiO混合沾污位于窗口和腔壁处。

10.根据权利要求8所述的应用,其特征在于,所述金属为Ru、Ta、TiN、Cu、Ag、Al、Pt和Mg中的一种或几种。

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