[发明专利]具有改进的结终端延伸区的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在第一方向上延伸的有源区；

围绕所述有源区的第一电荷类型的结终端扩展区，其中，所述结终端扩展区包括多个场释放子区，所述多个场释放子区各自围绕所述有源区且在垂直于所述有源区的外周的方向上相互间隔开，

其特征在于，所述多个场释放子区包括第一组场释放子区，其中，对于所述第一组的每个场释放子区，在其中设置多个第二电荷类型的场释放元件，所述场释放元件相对于所述有源区在外周的方向上相互间隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括背面金属层和在所述第一方向上与所述背面金属层间隔开的正面金属层，其中，所述有源区布置在所述背面金属层和所述正面金属层之间。

3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，所述多个场释放子区包括第二组场释放子区，其中，对于所述第二组的每个场释放子区，在其中设置围绕所述有源区的所述第二电荷类型的场释放环。

4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，相对于垂直于所述有源区的外周的所述方向，当远离所述有源区移动时，所述场释放元件的宽度以及，如果适用，所述场释放环的宽度增加。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，相对于垂直于所述有源区的外周的所述方向，当远离所述有源区移动时，所述场释放元件的掺杂浓度以及如果适用的所述场释放环的掺杂浓度增加；和/或

其中，相对于垂直于所述有源区的外周的所述方向，在远离所述有源区移动时，所述结终端扩展区的掺杂浓度减小；和/或

其中，相对于垂直于所述有源区的外周的所述方向，当远离所述有源区移动时，相邻场释放子区之间的间隔增大；和/或

其中，相对于垂直于所述有源区的外周的所述方向，当远离所述有源区移动时，所述多个场释放元件沿所述外周的方向的长度增加。

6.根据权利要求4-5中任一项所述的半导体器件，其中，对于所述第一组的至少一个场释放子区，其所有的场释放元件与所述有源区的外周等距，和/或根据权利要求3而言，场释放环的每个段与所述有源区的外周等距。

7.根据权利要求4-6中任一项所述的半导体器件，其中，所述第一组的相邻场释放子区的所述多个场释放元件以交错图案布置。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一组的一个场释放子区中的相邻场释放元件之间的间距大于或等于所述第一组的相邻场释放子区中的场释放元件沿所述外周的方向的长度。

9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，所述结终端扩展区具有第一表面和第二表面，其中，所述多个场释放元件和根据权利要求3而言的所述场释放环在所述第一表面和所述第二表面之间沿所述第一方向至少部分地在所述结终端扩展区内部延伸。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述多个场释放元件和根据权利要求3而言的所述场释放环从所述第一表面朝向所述第二表面延伸；和/或

其中，所述多个场释放元件和根据权利要求3而言的所述场释放环在所述第一方向上从所述第一表面完全穿过所述结终端扩展区延伸到所述第二表面；和/或

其中，根据权利要求2而言，在所述第一表面和所述第二表面中，所述第一表面被布置成更靠近所述正面金属层。

11.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，对于所述第一组的至少一个场释放子区，使用一个或多个所述第二电荷类型的互连元件连接至少一些所述场释放元件，其中，相对于垂直于所述有源区的外周的所述方向，所述第一组的同一场释放子区中的所述多个互连元件中的每一个的宽度小于所述场释放子区的场释放元件的宽度；

其中，在第一组的多个场释放子区中的每一个中的多个互连元件中的每一个的宽度优选实质上相同。