[发明专利]自容式触摸屏的断线位置检测方法、装置、设备和介质在审

专利信息
申请号: 202111092145.5 申请日: 2021-09-17
公开(公告)号: CN113741741A 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 具松;金贤善;张光均;罗鸿强 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044;G06F3/041
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 杨广宇
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 触摸屏 断线 位置 检测 方法 装置 设备 介质
【说明书】:

本公开提供了一种自容式触摸屏的断线位置检测方法、装置、设备和介质,属于自容式触摸屏技术领域。所述方法包括:确定第一触摸电极,所述第一触摸电极为所述多个触摸电极中发生断线的触摸电极;获取所述第一触摸电极的第一电容数据;根据所述第一电容数据和预设的对应关系,确定所述第一触摸电极的断线位置,所述对应关系为触摸电极的参考电容数据与断线位置的对应关系,所述断线位置为所述第一触摸电极内部至所述触摸芯片之间的位置。由于所述对应关系为触摸电极的电容数据与断线位置的对应关系。这样,根据第一电容数据和对应关系,能够快速查找到第一触摸电极的断线位置,从而提高触摸触摸电极的断线位置的检测效率。

技术领域

本公开涉及触控技术领域,特别涉及一种自容式触摸屏的断线位置检测方法、装置、设备和介质。

背景技术

自容式触摸屏是电容式触摸屏中的一种,其工作原理为利用导电材质制作成触摸电极,通过手指触控自容式触摸屏时触摸电极的电容的变化来实现触控。

发明内容

本公开实施例提供了一种自容式触摸屏的断线位置检测方法、装置、设备和介质,能够提高自容式触摸屏的断线位置的检测效率。所述技术方案如下:

第一方面,提供了一种自容式触摸屏的断线位置检测方法,所述自容式触摸屏包括触摸芯片、多根引线和阵列布置的多个触摸电极,每个所述触摸电极通过对应的一根所述引线连接至所述触摸芯片,所述方法包括:确定第一触摸电极,所述第一触摸电极为所述多个触摸电极中发生断线的触摸电极;获取所述第一触摸电极的第一电容数据,所述第一电容数据用于反应所述第一触摸电极在未被触摸状态下的对地电容;根据所述第一电容数据和预设的对应关系,确定所述第一触摸电极的断线位置,所述对应关系为触摸电极的参考电容数据与断线位置的对应关系,所述断线位置为所述第一触摸电极内部至所述触摸芯片之间的位置。

可选地,所述根据所述第一电容数据和预设的对应关系,确定所述第一触摸电极的断线位置,包括:对所述第一电容数据进行处理,得到第二电容数据;根据所述第一触摸电极的第一位置,确定第一参考电容数据,所述第一位置为所述第一触摸电极在所述引线延伸方向的位置,所述第一参考电容数据为所述对应关系中与所述第一位置对应的参考电容数据;根据所述第二电容数据和所述第一参考电容数据确定所述第一触摸电极的断线位置。

可选地,所述根据所述第二电容数据和所述第一参考电容数据确定所述第一触摸电极的断线位置,包括:响应于确定所述第二电容数据的数值小于所述第一参考电容数据的数值,确定所述第一触摸电极的断线位置为第一触摸电极内部;或者,响应于确定所述第二电容数据的数值大于最大值,确定所述第一触摸电极的断线位置为所述数据选择器前端,所述最大值为所述对应关系中参考电容数据最大值。

可选地,所述根据所述第二电容数据和所述第一参考电容数据确定所述第一触摸电极的断线位置,包括:响应于确定所述第二电容数据的数值大于所述第一参考电容数据的数值且小于最大值,根据所述第二电容数据的数值大小,确定第二参考电容数据,所述最大值为所述对应关系中参考电容数据最大值,所述第二参考电容数据为所述对应关系中与所述第二电容数据的数值大小最接近的参考电容数据;将所述第二参考电容数据对应的断线位置,确定为所述第一触摸电极的断线位置。

可选地,所述第一电容数据包括第一电参数和第二电参数,所述对所述第一电容数据进行处理,得到第二电容数据,包括:采用以下公式对所述第一电容数据进行处理:C=X+M-N*Y,其中,C表示所述第二电容数据,X表示所述第一电参数,Y表示所述第二电参数,M和N为设定值。

可选地,所述方法还包括:对自容式触摸屏样本的一列第二触摸电极进行划线测试,以确定第二触摸电极在不同断线位置下的第三电容数据;对所述第三电容数据进行处理,得到对应的断线位置下的电容参考数据;根据所述断线位置以及所述断线位置下的电容参考数据,生成所述对应关系。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111092145.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top