[发明专利]一种碳化硅靶材组件及其制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅靶材组件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

(1)对碳化硅靶材坯料依次进行切料、粗磨、线切割以及精磨，得到碳化硅靶材；

(2)钎焊接背板与步骤(1)所得碳化硅靶材，得到碳化硅靶材半成品组件；

(3)对步骤(2)所得碳化硅靶材半成品组件依次进行热整形以及抛光后，得到碳化硅靶材组件；

步骤(1)所述线切割过程中，走刀轨迹深度≤0.2mm；

步骤(3)所述热整形的温度为200-220℃。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述切料得到矩形碳化硅靶坯；

优选地，所述矩形碳化硅靶坯的长度为180-500mm；

优选地，所述矩形碳化硅靶坯的宽度为125-130mm；

优选地，所述矩形碳化硅靶坯的厚度为6-10mm。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述粗磨为粗磨加工矩形碳化硅靶坯的焊接面以及与焊接面相对应的平面；

优选地，所述粗磨后矩形碳化硅靶坯的单边余量为1.2-1.8mm。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述线切割为慢走丝线切割：钼丝直径为0.15-0.25mm，工作液浓度为8-12wt％，切割电流为2-2.5A，开路电压为80-150V，脉冲宽度为10-15μs，脉冲间隙为8-10μs；

优选地，所述线切割过程中，单边余量为1.2-2.0mm；

优选地，步骤(1)所述精磨包括第一精磨和第二精磨；

优选地，所述第一精磨为精磨加工矩形碳化硅靶材的侧边；

优选地，所述第一精磨后矩形碳化硅靶材的单边余量为0.2-0.8mm；

优选地，所述第二精磨为精磨加工矩形碳化硅靶材的焊接面以及与焊接面相对应的平面；

优选地，所述第二精磨后矩形碳化硅靶材的单边余量为0.1-0.5mm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述钎焊接包括如下步骤：

在步骤(1)所得碳化硅靶材的焊接面放置焊料以及铜丝，将所述碳化硅靶材与背板装配，加热进行钎焊，加压条件下使焊料充分浸润焊接面，冷却后得到碳化硅靶材半成品组件。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述铜丝的直径为0.2-0.5mm；

优选地，所述焊料包括铟焊料；

优选地，所述背板的材料包括无氧铜、铜锌合金或铜铬合金中的任意一种；

优选地，所述焊料的厚度为0.3-0.6mm。

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述加热的温度为200-220℃；

优选地，所述加压条件下的压力为0.4-0.5MPa；

优选地，所述冷却为加压冷却；

优选地，所述加压冷却的压力为0.5-0.7kPa。

8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述热整形后碳化硅靶材的平面度≤0.5mm；

优选地，步骤(3)所述抛光后碳化硅靶材的粗糙度≤1.6μm；

优选地，步骤(3)所述抛光之后还包括依次进行的清洗、干燥与包装；

优选地，所述清洗包括超声清洗；

优选地，所述超声清洗采用的清洗液包括异丙醇；

优选地，所述干燥包括真空干燥；

优选地，所述真空干燥的真空度≤0.01Pa；

优选地，所述包装包括真空包装。