[发明专利]一种高集成度的硅光芯片

权利要求书

1.一种高集成度的硅光芯片，其特征在于，所述硅光芯片(01)包括硅基衬底(10)、激光输入端(20)、分路器(30)、硅光调制器(40)、调制光信号输出端(50)、调制光信号接收端(60)以及光电二极管接收器(70)；

所述激光输入端(20)、所述分路器(30)、所述硅光调制器(40)、所述调制光信号输出端(50)、所述调制光信号接收端(60)以及所述光电二极管接收器(70)集成于所述硅基衬底(10)上；

至少一个激光器(80)发射的激光依次通过所述激光输入端(20)和所述分路器(30)，所述激光进入所述硅光调制器(40)，所述硅光调制器(40)将调制后的光信号通过所述调制光信号输出端(50)输出，以传输至对端硅光芯片的调制信号接收端，所述调制光信号接收端(60)接收所述对端硅光芯片的调制光信号输出端输出的调制后的光信号，并通过所述调制光信号接收端(60)进入所述光电二极管接收器(70)；

所述光电二极管接收器(70)采用硅锗雪崩光电二极管接收器。

2.根据权利要求1所述的硅光芯片，其特征在于，所述分路器(30)的分路数M≥4。

3.根据权利要求2所述的硅光芯片，其特征在于，所述分路器(30)的分路数M≥8。

4.根据权利要求1所述的硅光芯片，其特征在于，所述硅基衬底(10)包括第一硅基衬底(101)和第二硅基衬底(102)，所述第一硅基衬底(101)与所述第二硅基衬底(102)为一体结构；

所述激光输入端(20)、所述分路器(30)、所述硅光调制器(40)以及所述调制光信号输出端(50)集成于所述第一硅基衬底(101)上，所述调制光信号接收端(60)以及所述光电二极管接收器(70)集成于所述第二硅基衬底(102)上。

5.根据权利要求1所述的硅光芯片，其特征在于，所述硅基衬底(10)包括第一硅基衬底(101)和第二硅基衬底(102)，所述第一硅基衬底(101)与所述第二硅基衬底(102)均为独立部件；

所述激光输入端(20)、所述分路器(30)、所述硅光调制器(40)以及所述调制光信号输出端(50)集成于所述第一硅基衬底(101)上，所述调制光信号接收端(60)以及所述光电二极管接收器(70)集成于所述第二硅基衬底(102)上。

6.根据权利要求1所述的硅光芯片，其特征在于，所述激光器(80)包括第一激光器(801)，所述光路包括第一光路，所述第一激光器(801)发射的直流激光依次通过所述激光输入端(20)和所述分路器(30)得到所述第一光路，所述第一光路的数量大于或者等于所述预设光路数量；

所述光电二极管接收器(70)包括第一光电二极管接收器(701)，其中，所述分路器(30)的损耗值符合所述第一光电二极管接收器(701)的增益范围，其中，所述第一光电二极管接收器(701)采用雪崩光电二极管接收器。

7.根据权利要求1所述的硅光芯片，其特征在于，所述激光器(80)包括第一激光器(801)和第二激光器(802)，所述光路包括第一光路和第二光路，其中，所述第一激光器(801)发射的激光依次通过所述激光输入端(20)和所述分路器(30)得到所述第一光路，所述第二激光器(802)发射的激光通过所述激光输入端(20)得到所述第二光路，所述第一光路与所述第二光路的总数量等于所述预设光路数量；

所述光电二极管接收器(70)包括第一光电二极管接收器(701)和第二光电二极管接收器(702)，所述第一光电二极管接收器(701)用于接收所述第一光路对应的调制后的光信号，所述第二光电二极管接收器(702)用于接收所述第二光路对应的调制后的光信号，其中，所述分路器(30)的损耗值符合所述第一光电二极管接收器(701)的增益范围，所述第一光电二极管接收器(701)的增益值大于所述第二光电二极管接收器(702)的增益值，其中，所述第一光电二极管接收器(701)采用雪崩光电二极管接收器，所述第二光电二极管接收器(702)采用PIN光电二极管接收器。