[发明专利]一种大能量百皮秒755nm激光器

权利要求书

1.一种大能量百皮秒755nm激光器，其特征在于，包括LD泵浦源(1)、准直镜a(2)、聚焦镜(3)、被动调Q键合晶体Nd：YAG+Cr：YAG(4)、倍频晶体KTP(5)、分光镜(6)、收光器(7)、45度高反镜(8)、准直镜a(9)、聚焦镜a(10)、腔镜(11)、翠绿宝石晶体(12)、输出镜(13)、755nm的半波片(14)、755nm的隔离器(15)、45度755nm高反镜a(16)、45度755nm高反镜b(17)、扩束镜(18)、准直镜b(19)、氙灯(20)与翠绿宝石(21)，其中，所述准直镜a(2)、所述聚焦镜(3)、所述被动调Q键合晶体Nd：YAG+Cr：YAG(4)、所述倍频晶体KTP(5)与所述分光镜(6)沿着所述LD泵浦源(1)的光线照射反向依次排列，所述(45)度高反镜(8)、所述准直镜a(9)、所述聚焦镜a(10)、所述腔镜(11)、所述翠绿宝石晶体(12)、所述输出镜(13)、所述755nm的半波片(14)、所述755nm的隔离器(15)与45度755nm高反镜a(16)依次排列，所述45度755nm高反镜b(17)、所述扩束镜(18)、所述准直镜b(19)与所述氙灯(20)依次排列。

2.根据权利要求1所述的一种大能量百皮秒755nm激光器，其特征在于，所述收光器(7)沿着所述LD泵浦源(1)的光线照射设置并位于分光镜(6)的光线发散位置。

3.根据权利要求1所述的一种大能量百皮秒755nm激光器，其特征在于，所述(45)度高反镜(8)沿着所述分光镜(6)的光线反射反向设置。

4.根据权利要求1所述的一种大能量百皮秒755nm激光器，其特征在于，所述45度755nm高反镜b(17)沿着所述45度755nm高反镜a(16)的光线反射反向设置。

5.根据权利要求1所述的一种大能量百皮秒755nm激光器，其特征在于，所述翠绿宝石(21)设置在氙灯(20)的光线照射端，所述氙灯(20)的光通过翠绿宝石(21)射出。

6.根据权利要求1所述的一种大能量百皮秒755nm激光器，其特征在于，所述LD泵浦源(1)、所述准直镜a(2)、所述聚焦镜(3)与所述被动调Q键合晶体Nd：YAG+Cr：YAG(4)组成一个典型的1064nm被动调Q激光器。

7.根据权利要求1所述的一种大能量百皮秒755nm激光器，其特征在于，所述分光镜(6)反射提取532nm激光并泵浦翠绿宝石(21)进行1064nm激光透射。

8.根据权利要求1所述的一种大能量百皮秒755nm激光器，其特征在于，所述准直镜a(9)和所述聚焦镜a(10)组成532nm泵浦光的准直聚焦系统。

9.根据权利要求1所述的一种大能量百皮秒755nm激光器，其特征在于，所述腔镜(11)与所述输出镜(13)构成755nm激光器的谐振腔。