[发明专利]一种双D聚焦线圈阵列远场涡流探头及其检测方法

权利要求书

1.一种双D聚焦线圈阵列远场涡流探头的检测方法，其特征在于：双D聚焦线圈阵列远场涡流探头包括用于产生聚焦激励磁场的激励单元、用于拾取检测信号的检测单元以及用于屏蔽直接耦合通道电磁场的屏蔽单元，所述激励单元包括呈一定角度倾斜的双D激励线圈和磁场结构，所述检测单元包括阵列检测线圈组和阵列磁路结构，所述屏蔽单元包括第一屏蔽件、第二屏蔽件以及第三屏蔽件，所述屏蔽单元为多层屏蔽结构；

所述双D激励线圈为两个D型绕制线圈，所述双D激励线圈呈一定角度沿着所述激励单元和所述检测单元轴线轴对称放置且绕向相同，所述磁场结构为D形，所述双D激励线圈缠绕于所述磁场结构中；所述阵列检测线圈组为矩形线性阵列线圈组，所述阵列磁路结构为长方体，阵列检测线圈组卷绕于阵列磁路结构中；所述第一屏蔽件包覆于所述双D激励线圈及所述磁场结构上，所述第一屏蔽件和所述激励单元均固设于所述第三屏蔽件上，所述第二屏蔽件包覆于所述阵列检测线圈组及所述阵列磁路结构上，所述第二屏蔽件和所述检测单元均固设于所述第三屏蔽件上；所述激励单元和检测单元横跨铆钉放置；所述双D激励线圈同时通以同相位同频的正弦激励信号，所述双D激励线圈匝数一致；

双D聚焦线圈阵列远场涡流探头的缺陷长度评价方法，包括以下步骤：

1）阵列检测线圈组检测信号分别记为

A₀、A₁、A₂ ……A_n (n=0,1,2,3……)；

2）记单个检测线圈总宽度为W，A_qn =A_n /A_n-1，设初值n=1，阈值记为A_q0，进行如下判断：

A_qn ≥A_q0 （1）

A_qn＜A_q0 （2）

如式（1）成立，则进行步骤3）；如式（2）成立，则进行步骤4）；

3）使得n=n+1，在回到步骤2）；

4）裂纹长度L可以式（3）求出：

L=W×n （3）；

所述的双D聚焦线圈阵列远场涡流探头的双D聚焦线圈阵列涡流检测方法，包括以下步骤：

步骤一：置于被检铆接结构件上的双D聚焦激励线圈通以同相同频的低频正弦波信号，所述双D聚焦激励线圈呈一定倾斜角度放置在所述被检铆接结构件中产生聚焦低频磁场；

步骤二：所述激励单元和所述检测单元横跨铆钉放置，沿铆接件铆钉表面旋转双D聚焦阵列远场涡流检测探头，使置于孔边呈线性阵列的阵列检测线圈在远场区拾取蕴含被检铆接件内部缺陷信息的涡流场信号，并将信号发送给信号调理模块及显示模块。

2.根据权利要求1所述的一种双D聚焦线圈阵列远场涡流探头的检测方法，其特征在于：所述第一屏蔽件、所述第二屏蔽件均由铝合金材料制成，所述第三屏蔽件由铜材料制成，所述磁场结构、所述阵列磁路结构材料均由铁氧体或者硅钢材料制成。