[发明专利]一种基于磁热效应的交变磁场探测装置

权利要求书

1.一种基于磁热效应的交变磁场探测装置，其特征在于，包括基底、凹槽、第一四氧化三铁材料部、第二四氧化三铁材料部、二维过渡金属硫属化合物层、第一电极、第二电极，所述凹槽设置在所述基底的表面，所述第一四氧化三铁材料部和所述第二四氧化三铁材料部分别设置在所述凹槽内的两端，所述二维过渡金属硫属化合物层置于所述基底和所述凹槽上，所述第一电极和所述第二电极分别置于所述二维过渡金属硫属化合物层上所述凹槽的两侧。

2.如权利要求1所述的基于磁热效应的交变磁场探测装置，其特征在于：所述第一四氧化三铁材料部和所述第二四氧化三铁材料部的高度不小于所述凹槽的深度。

3.如权利要求2所述的基于磁热效应的交变磁场探测装置，其特征在于：还包括施力部，所述施力部置于所述二维过渡金属硫属化合物层上所述凹槽中部的上侧。

4.如权利要求3所述的基于磁热效应的交变磁场探测装置，其特征在于：所述施力部的材料为四氧化三铁。

5.如权利要求4所述的基于磁热效应的交变磁场探测装置，其特征在于：所述凹槽的底部中间高，所述凹槽的底部两侧低。

6.如权利要求1-5任一项所述的基于磁热效应的交变磁场探测装置，其特征在于：所述二维过渡金属硫属化合物层的材料为硫化钼、碲化钼、硒化钼、硫化钨、碲化钨、硒化钨。

7.如权利要求6所述的基于磁热效应的交变磁场探测装置，其特征在于：所述二维过渡金属硫属化合物层中二维过渡金属硫属化合物的层数少于10层。

8.如权利要求7所述的基于磁热效应的交变磁场探测装置，其特征在于：所述第一电极和所述第二电极的材料为金或银。

9.如权利要求8所述的基于磁热效应的交变磁场探测装置，其特征在于：所述第一四氧化三铁材料部和所述第二四氧化三铁材料部均与所述凹槽的侧壁不接触。

10.如权利要求1-9任一项所述的基于磁热效应的交变磁场探测装置，其特征在于：所述基底的材料为绝缘材料。