[发明专利]显示设备及制造该显示设备的方法在审
| 申请号: | 202111087583.2 | 申请日: | 2021-09-16 |
| 公开(公告)号: | CN114203769A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
| 发明(设计)人: | 姜勳;姜泰旭;申憘龟;尹相铉 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩芳;郭文峰 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 设备 制造 方法 | ||
提供了一种显示设备及制造该显示设备的方法。所述显示设备包括:第一阻挡层,包括第一显示区域、包括透射区域的第二显示区域和非显示区域;第一基体层,在第一阻挡层的下表面上,并且限定与第二显示区域叠置的第一开口;第二基体层,在第一阻挡层的上表面上,并且限定分别与透射区域叠置的第二开口;第二阻挡层,在第二基体层的上表面上,并且限定与第二开口叠置的第三开口;主像素电极,在第一显示区域中在第二阻挡层之上;以及辅助像素电极,在第二显示区域中在第二阻挡层之上。
本专利申请要求于2020年9月17日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0120020号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种包括具有改善的透射率的透射区域的显示设备以及一种制造该显示设备的方法。
背景技术
传统显示设备的应用已经多样化。此外,因为显示设备已经变得更薄且更轻,所以已经增大了它们的使用范围。
由显示设备的显示区域占据的面积已经增大,可以应用到或链接到显示设备的各种功能也已经添加到显示设备。为了增大由显示区域占据的面积并且也添加各种功能,已经对在显示区域内具有用于添加除了图像显示之外的各种功能的区域的显示设备进行了研究。
发明内容
一个或更多个实施例包括一种显示设备和制造该显示设备的方法,该显示设备包括具有改善的透射率的作为用于在显示区域内添加各种功能的区域的透射区域。然而,一个或更多个实施例仅是示例,并且公开的范围不限于此。
额外的方面将在下面的描述中被部分地阐述,并且部分地通过该描述将是明显的,或者可以通过实践公开的给出的实施例而获知。
根据一个或更多个实施例,显示设备包括:第一阻挡层,包括第一显示区域、包括透射区域的第二显示区域和非显示区域;第一基体层,在第一阻挡层的下表面上,并且限定与第二显示区域叠置的第一开口;第二基体层,在第一阻挡层的上表面上,并且限定分别与透射区域叠置的第二开口;第二阻挡层,在第二基体层的上表面上,并且限定与第二开口叠置的第三开口;主像素电极,在第一显示区域中在第二阻挡层之上;以及辅助像素电极,在第二显示区域中在第二阻挡层之上。
显示设备还可以包括在辅助像素电极之上、与辅助像素电极叠置且限定与透射区域叠置的第四开口的第一辅助对电极。
第三开口的各个内侧表面可以比第二开口的相应的内侧表面向内突出。
当在与第一阻挡层的上表面垂直的方向上观看时,第三开口中的每个的面积可以比第二开口中的每个的面积小。
显示设备还可以包括在第一阻挡层上以与第四开口对应的第二辅助对电极。
显示设备还可以包括在主像素电极之上、与主像素电极叠置且与第一辅助对电极一体化的主对电极。
显示设备还可以包括在第一开口中在第一阻挡层的下表面上的透明层。
显示设备还可以包括覆盖主像素电极、辅助像素电极、第三开口的各个内侧表面和第二开口的各个内侧表面的封装层。
封装层可以包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
第一基体层可以包括不透明材料。
通过以下对实施例、权利要求和附图的描述,这些和/或其它方面将变得明显且更容易理解。
这些一般和具体实施例可以通过使用系统、方法、计算机程序或其组合来实现。
附图说明
通过以下结合附图的描述,公开的某些实施例的以上和其它方面、特征及优点将更加明显,在附图中:
图1A和图1B是根据一些实施例的显示设备的示意性透视图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





