[发明专利]一种忆阻模拟器及高频混沌振荡器在审
| 申请号： | 202111081821.9 | 申请日： | 2021-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN113890500A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 周玲 | 申请（专利权）人： | 湖南科技学院 |
| 主分类号： | H03H5/00 | 分类号： | H03H5/00;H03B5/12;H03B5/24 |
| 代理公司： | 北京卓胜佰达知识产权代理有限公司 16026 | 代理人： | 张串串 |
| 地址： | 425199 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 模拟器 高频 混沌 振荡器 | ||
1.一种忆阻模拟器，其特征在于，包括：二极管桥和电容，其中，所述二极管桥与所述电容并联，所述忆阻模拟器工作的频率通过改变所述电容的大小进行调整。
2.根据权利要求1所述的忆阻模拟器，其特征在于，所述二极管桥包括二极管D1、二极管D2、二极管D3以及二极管D4，所述二极管D1的正极端与所述二极管D4的正极端相连，记作j端，所述二极管D4的负极端与所述二极管D3的正极端相连，记作k端，所述二极管D3的负极端与所述二极管D2的负极端相连，记作p端，所述二极管D2的正极端与所述二极管D2的负极端相连，记作q端，所述二极管桥的j端和p端分别与所述电容C0的正、负端并联。
3.一种高频混沌振荡器，其特征在于，包括：三极管Q、电阻R、电感L、电容CCE、直流电源E1以及权利要求1-2任意一项所述的忆阻模拟器W，其中：
所述三极管Q的基极和集电极分别连接所述电感L的两端，所述三极管Q的集电极和发射极分别连接所述电容的正负端，同时所述三极管Q的集电极和发射极分别连接所述二极管桥的q端和k端，所述三极管Q的基极与所述电阻R的一端相连，所述电阻R的另一端与所述直流电源E1的正极相连，所述直流电源E1的负极与所述三极管Q的发射极相连。
4.根据权利要求3所述的高频混沌振荡器，其特征在于，所述三极管Q采用高频小信号模型进行分析，所述高频小信号模型包括压控非线性电阻NR、流控电流源βFiB′以及基极和发射极之间的寄生电容CBE，其中，βF为共发射极电流放大系数，iB′为流经所述压控非线性电阻NR的电流。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南科技学院，未经湖南科技学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111081821.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
