[发明专利]一种利用偏析法生产高纯铝的装置有效

专利信息
申请号: 202111081203.4 申请日: 2021-09-15
公开(公告)号: CN113774231B 公开(公告)日: 2022-10-18
发明(设计)人: 卢鹏荐;曾小龙;张林;官建国;章嵩 申请(专利权)人: 武汉拓材科技有限公司
主分类号: C22B21/06 分类号: C22B21/06;C30B15/00;C30B28/10;C30B29/02
代理公司: 武汉天领众智专利代理事务所(普通合伙) 42300 代理人: 王能德
地址: 436000 湖北省鄂州*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 偏析 生产 高纯 装置
【权利要求书】:

1.一种利用偏析法生产高纯铝的装置,包括结晶炉(1)和结晶器(2),其特征在于:所述结晶器(2)上设置有冷却装置,所述冷却装置通过即时加热水流控制结晶器(2)的温度,所述结晶器(2)通过吸取结晶炉(1)的铝液结晶;

所述冷却装置的出水管(5)上设置有第三温度传感器;

所述冷却装置包括冷却槽(8)和活塞板(9),所述冷却槽(8)中包括外护板(81)和分隔板(82),外护板(81)与分隔板(82)之间形成水流通道,所述活塞板(9)与水流通道适配,用于调节水流通道断面尺寸和冷却装置内部的水流流速;

所述冷却装置的进水管(6)上设置有即热式加热器(7),所述即热式加热器(7)用于控制进入冷却装置的低温水温度变化;

所述即热式加热器(7)包括加热套(72)和单片机(73),所述加热套(72)用于对进水管(6)的水加热,还包括检测加热套(72)加热前水温的第一温度传感器(74),和检测加热套(72)加热后水温的第二温度传感器(75),所述单片机(73)用于获取第一温度传感器(74)和第二温度传感器(75)的数据,并控制加热套(72)的加热功率;

所述单片机(73)通过获取第一温度传感器(74)、第二温度传感器(75)以及第三温度传感器的数据,并控制加热套(72)的加热功率,同时控制伸缩杆(10)带动活塞板(9)调节水流通道断面尺寸和冷却装置内部的水流流速。

2.根据权利要求1所述的一种利用偏析法生产高纯铝的装置,其特征在于:还包括铝液供给炉(14),所述铝液供给炉(14)通过供液管为结晶炉(1)补充铝液,所述结晶炉(1)内部设置有对铝液加热的加热装置(4)。

3.根据权利要求1所述的一种利用偏析法生产高纯铝的装置,其特征在于:所述结晶炉(1)上设置有对铝液进行搅拌的电磁搅拌器(16)。

4.根据权利要求1所述的一种利用偏析法生产高纯铝的装置,其特征在于:所述结晶器(2)上设置有密封盖(11),所述密封盖(11)上设置有对结晶炉(1)抽真空的真空泵(12)和检测铝液温度变化的第四温度传感器(13)。

5.根据权利要求1所述的一种利用偏析法生产高纯铝的装置,其特征在于:所述结晶器(2)安装在支架(17)上,所述支架(17)通过旋转装置(19)安装在升降装置(20)上,所述升降装置(20)用于顶起结晶后的结晶器(2),所述旋转装置(19)用于将结晶后的结晶器(2)旋转至输送机(21)上下料。

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