[发明专利]静电吸盘装置、干蚀刻设备及干蚀刻方法

说明书

本发明提供了一种静电吸盘装置、干蚀刻设备及干蚀刻方法，静电吸盘装置包括基座、电介质层、电极电路及供电电路，电极电路包括多个独立的正电极和负电极，多个正电极与多个负电极相互交错分散并相互绝缘设置，供电电路包括与正电极连接的正电源供电子电路，及与负电极连接的负电源供电子电路，供电电路具有切换选择功能，能实现单电极吸附与双电极吸附的切换控制；基于静电吸盘装置中供电电路的切换选择，既能吸附半导体基板，同时，基于静电吸盘装置的正电极与干蚀刻设备中电浆的负电荷之间的库伦吸引力又能吸附非导体基板，实现了半导体基板与非导体基板的兼容吸附，提高了机台的利用效率。

技术领域

本发明属于半导体制造领域，尤其是涉及一种静电吸盘装置、干蚀刻设备及干蚀刻方法。

背景技术

在干蚀刻时，基板需要固定在蚀刻腔体的底部，一般用静电吸盘(Electro-StaticChuck，简称ESC)对基板进行吸附固定，同时，在目前的干蚀刻设备中，静电吸盘还充当下电极。

但是，在部分半导体制造领域如LED业界所使用的基板(衬底)并非都是半导体材质，以红光为例，有可能使用砷化镓(GaAs)当衬底，也有可能翻转到蓝宝石(sapphire)当衬底，而目前设计的静电吸盘都是单一功能使用，能吸附半导体的无法吸附非导体的材质如蓝宝石或玻璃，因此，在需要同时用到半导体材质的衬底和非导体材质的衬底进行多路线多产品开发的情况下，一台机台(静电吸盘或者干蚀刻设备)无法同时满足半导体材质衬底和非导体材质衬底的吸附蚀刻，必须再购置新机台才能满足开发工艺条件，成本较高，且每台机台的利用效率低。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种能同时用于半导体基板和非导体基板的吸附固定的静电吸盘技术方案，用于解决上述技术问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供的具体技术方案如下。

一种静电吸盘装置，其特征在于，包括：

基座；

电介质层，设置于所述基座上；以及

电极电路，包括正电极子电路和负电极子电路，所述正电极子电路包括多个独立的正电极，所述负电极子电路包括多个独立的负电极，各所述正电极与各所述负电极分散于所述电介质层中；

所述静电吸盘装置透过对所述正电极子电路和/或负电极子电路的通断操作实现单电极吸附或双电极吸附。

在上述基于静电吸盘装置中，能自由切换单电极吸附与双电极吸附的吸附方式，两种吸附方式均能吸附半导体基板，同时，基于正电极与干蚀刻设备中电浆的负电荷之间的相互吸引能有效吸附非导体基板，从而实现半导体基板与非导体基板的兼容吸附，提高了机台的利用效率；此外，多个正电极与多个负电极分散地设置于电介质层中，使得静电吸盘装置的吸附力分布比较分散均匀，吸附的整体效果好。

可选地，至少部分所述正电极与至少部分所述负电极相互交错且彼此绝缘地分散于所述电介质层中。多个正电极与多个负电极相互交错地分散地设置于电介质层中，使得静电吸盘装置的吸附力整体分布比较均匀，吸附的整体效果更好。

可选地，还包括：

供电电路，所述供电电路包括正电源供电子电路及负电源供电子电路，所述正电源供电子电路与所述正电极子电路电连接，所述负电源供电子电路与所述负电极子电路电连接。

可选地，所述正电源供电子电路包括第一开关，所述负电源供电子电路包括第二开关；所述静电吸盘装置透过对所述正电极子电路和/或负电极子电路的通断操作实现单电极吸附或双电极吸附是透过对所述第一开关和/或所述第二开关的通断操作实现单电极吸附或双电极吸附。

可选地，所述静电吸盘装置设置于干蚀刻设备中；