[发明专利]触控显示模组及其制备方法在审
申请号: | 202111077340.0 | 申请日: | 2021-09-14 |
公开(公告)号: | CN113782578A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 刘杰;张磊;李世泰;李慧 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/041;G06F3/042 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 秦卫中 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 模组 及其 制备 方法 | ||
本申请提供了一种触控显示模组及其制备方法。该触控显示模组包括层叠设置的显示面板和触控膜层,显示面板包括多个子像素,触控膜层包括至少一个容纳空间和透过可见光线的紫外光线阻隔件,每个容纳空间容纳至少一个紫外光线阻隔件,每个紫外光线阻隔件覆盖至少一个子像素。本申请实施例能够在无需对偏光片层的结构进行改善的情况下避免因紫外光线的存在而使有机发光材料衰减。
技术领域
本申请涉及触控技术领域,具体涉及一种触控显示模组及其制备方法。
背景技术
近年来,基于有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)的触控显示装置因其主动发光、低功耗、响应速度快等优点成为研发热点。触控显示装置中通常采用有机发光材料自发光,但是,有机发光材料对紫外光线极为敏感。当触控显示装置长时间暴露在含有紫外光线的环境中如太阳光照射或者紫外光线照射等时,紫外光线会使有机发光材料衰减,从而降低触控显示装置的使用寿命。
目前,通常对偏光片层的结构进行改善以使偏光片层具有吸收紫外光线的性能,避免因紫外光线线使有机发光材料衰减。然而,对偏光片层的结构进行改善成本较高。
发明内容
有鉴于此,本申请提供一种触控显示模组及其制备方法,能够在无需对偏光片层的结构进行改善的情况下避免因紫外光线的存在而使有机发光材料衰减。
本申请的第一方面提供了一种触控显示模组。该触控显示模组包括层叠设置的显示面板和触控膜层。显示面板包括多个子像素。触控膜层包括至少一个容纳空间和透过可见光线的紫外光线阻隔件,其中,每个容纳空间容纳至少一个紫外光线阻隔件,每个紫外光线阻隔件覆盖至少一个子像素。
在本申请一实施例中,子像素包括绿色子像素、红色子像素和蓝色子像素,紫外光线阻隔件包括覆盖绿色子像素的第一紫外光线阻隔件、覆盖红色子像素的第二紫外光线阻隔件和覆盖蓝色子像素的第三紫外光线阻隔件。
在本申请一实施例中,在沿层叠方向上,第三紫外光线阻隔件的高度大于第二紫外光线阻隔件的高度,第二紫外光线阻隔件的高度大于第一紫外光线阻隔件的高度。
在本申请一实施例中,触控膜层包括缓冲层、金属层、保护膜层和平坦层中任意一个或多个。
在本申请一实施例中,金属层包括第一触控子金属层和/或第二触控子金属层。
在本申请一实施例中,紫外光线阻隔件的材料包括透明金属氧化物。
在本申请一实施例中,触控膜层包括金属层,金属层和紫外光线阻隔件的材料相同,任意相邻的金属层和紫外光线阻隔件之间存在间隙,优选地,透明金属氧化物包括氧化铟锡。
在本申请一实施例中,触控显示模组还包括滤光层,层叠设置在触控膜层远离显示面板的一侧,其中,滤光层包括多个彩膜件和间隔多个彩膜件中任意相邻两个彩膜件的间隔件,多个彩膜件中每个彩膜件覆盖至少一个子像素。
本申请的第二方面提供了一种触控显示模组的制备方法。该制备方法包括提供显示面板,显示面板包括多个子像素;在显示面板上形成触控膜层,其中,触控膜层包括至少一个容纳空间和透过可见光线的紫外光线阻隔件,每个容纳空间容纳至少一个紫外光线阻隔件,每个紫外光线阻隔件覆盖至少一个子像素。
在本申请一实施例中,上述在显示面板上形成触控膜层包括:当触控膜层包括金属层,且金属层和紫外光线阻隔件的材料均为氧化铟锡时,利用光罩在显示面板上同时形成金属层和紫外光线阻隔件,任意相邻的金属层和紫外光线阻隔件之间存在间隙。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥维信诺科技有限公司,未经合肥维信诺科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111077340.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的