[发明专利]石墨烯以及石墨烯的制法

权利要求书

1.一种组合物，其包含：

脱氢石墨，所述脱氢石墨包括多个片，所述多个片：

10个片中至少1个的尺寸超过10平方微米，

平均厚度为10个原子层或更少，并且

具有特征如下的缺陷密度：以好于1.8厘米^-1的分辨率在532nm处激发采集的脱氢石墨μ-拉曼光谱的至少50％具有小于0.5的D/G面积比。

2.一种组合物，其包含：

脱氢石墨，所述脱氢石墨包含多个片，所述多个片：

10个片中至少1个的尺寸超过10平方微米，

以好于1.8厘米^-1的分辨率在532nm处激发采集的脱氢石墨μ-拉曼光谱的2D单峰拟合的决定系数值对于超过50％的所述光谱而言大于0.99，并且

具有特征如下的缺陷密度：以好于1.8厘米^-1的分辨率在532nm处激发采集的脱氢石墨μ-拉曼光谱的至少50％具有小于0.5的D/G面积比。

3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述脱氢石墨超过60％例如超过80％或超过85％的μ-拉曼光谱的决定系数值大于0.99。

4.根据权利要求1至3任一项所述的组合物，其中所述脱氢石墨超过40％例如超过50％或超过65％的μ-拉曼光谱的决定系数值大于0.995。

5.根据权利要求1至4任一项所述的组合物，其中6个片中至少1个的尺寸超过10平方微米，例如，4个片中至少1个的尺寸超过10平方微米。

6.根据权利要求1至5任一项所述的组合物，其中10个片中至少1个的尺寸超过25平方微米，例如10个片中至少2个的尺寸超过25平方微米。

7.根据权利要求1至6任一项所述的组合物，其中所述平均厚度为7个原子层或更小，例如为5个原子层或更小。

8.根据权利要求1至7任一项所述的组合物，其中所述缺陷密度的特征如下：所采集光谱的至少80％具有小于0.5的D/G面积比，例如，所采集光谱的至少95％具有小于0.5的D/G面积比。

9.根据权利要求1至8任一项所述的组合物，其中所述缺陷密度的特征如下：所采集光谱的至少80％具有小于0.5的D/G面积比，例如，所采集光谱的至少95％具有小于0.5的D/G面积比。

10.根据权利要求1至9任一项所述的组合物，其中所述缺陷密度的特征如下：所采集光谱的至少50％具有小于0.2的D/G面积比，例如，所采集光谱的至少70％具有小于0.2的D/G面积比。

11.根据权利要求1至10任一项所述的组合物，其中所述缺陷密度的特征如下：平均D/G面积比小于0.8，例如，小于0.5或小于0.2。

12.根据权利要求1至11任一项所述的组合物，其中所述组合物为脱氢石墨片的颗粒状粉末，例如，为脱氢石墨片的黑色颗粒状粉末。

13.根据权利要求1至12任一项所述的组合物，其中所述脱氢石墨的多个片为褶皱状的、起皱的或折叠状的，例如，其中所述多个片被组装成三维结构。

14.根据权利要求1至13任一项所述的组合物，其中以好于1.8厘米^-1的分辨率在532nm处激发采集的脱氢石墨μ-拉曼光谱G峰的半峰宽大于20厘米^-1，例如大于25厘米^-1或大于30厘米^-1。