[发明专利]一种高洁净度抛光片的制备工艺

权利要求书

1.一种高洁净度抛光片的制备工艺，其特征在于：包括如下步骤：

1)在洁净的待抛片背面均匀涂敷一层水溶性抛光蜡，将背面涂覆抛光蜡的待抛片贴敷在高温陶瓷盘上，随后进行冷却；

2)对贴敷在陶瓷盘上的待抛片进行抛光处理，分别经历粗抛光、一次精抛光、二次精抛光，得到抛光片；

3)对抛光片用去蜡剂进行去蜡清洗，去除抛光片背面的抛光蜡，得到较洁净的抛光片。

4)对抛光片进行最终清洗，得到高洁净度的硅片。

2.根据权利要求1所述的一种高洁净度抛光片的制备工艺，其特征在于，所述步骤1)中水溶性抛光蜡的涂敷工艺为：滴蜡量为1.4-2.0mL，甩蜡时间3-5s，甩蜡转速3000rpm；待抛片的贴敷工艺为：烘蜡温度90-95℃，烘烤时间5-7s，贴蜡压头压力15-25kPa，加压时间1.5-2s；优选地，所述步骤1)中水溶性抛光蜡的涂敷工艺为：滴蜡量为1.6mL，甩蜡时间4s，甩蜡转速3000rpm；待抛片的贴敷工艺为：烘蜡温度93℃，烘烤时间6s，贴蜡压头压力20kPa，加压时间1.8s。

3.根据权利要求1所述的一种高洁净度抛光片的制备工艺，其特征在于，所述步骤2)中粗抛光过程陶瓷盘转速15-35rpm；使用粗抛垫，抛光垫转速15-35rpm，抛光垫温度30±5℃；使用稀释的粗抛液，稀释比例1:10-1:30，粗抛液流量9-11L/min，抛光液温度20±5℃，去除量8-11μm。

4.根据权利要求3所述的一种高洁净度抛光片的制备工艺，其特征在于，所述步骤2)中粗抛光过程陶瓷盘转速25rpm；使用粗抛垫，抛光垫转速25rpm，抛光垫温度30℃；使用稀释的粗抛液，稀释比例1:20，粗抛液流量10L/min，抛光液温度20℃；去除量9μm。

5.根据权利要求1所述的一种高洁净度抛光片的制备工艺，其特征在于，所述步骤2)中一次精抛光过程陶瓷盘转速20-30rpm；使用精抛垫，抛光垫转速20-30rpm，抛光垫温度30±5℃；使用稀释的中抛液，稀释比例1:30-1:50，中抛液流量4-7L/min，抛光液温度20±5℃；抛光时间4-8min，其中最后10-60s使用稀释的活性剂，活性剂稀释比例1:10-1:80，活性剂流量0.5-1.5L/min。

6.根据权利要求5所述的一种高洁净度抛光片的制备工艺，其特征在于，所述步骤2)中一次精抛光过程陶瓷盘转速为25rpm；使用精抛垫，抛光垫转速25rpm，抛光垫温度30℃；使用稀释的中抛液，稀释比例1:40，中抛液流量6L/min，抛光液温度20℃；抛光时间6min，其中最后30s使用稀释的活性剂，活性剂稀释比例1:50，活性剂流量1.0L/min。

7.根据权利要求1所述的一种高洁净度抛光片的制备工艺，其特征在于，所述步骤2)中二次精抛光过程陶瓷盘转速25-35rpm；使用精抛垫，抛光垫转速20-35rpm，抛光垫温度30±5℃；使用稀释的精抛液，精抛液稀释比例1:20-1:40，精抛液流量1.5±0.5L/min，抛光液温度20±5℃；抛光时间8-10min，其中最后10-60s使用稀释的活性剂，活性剂稀释比例1:10-1:80，活性剂流量0.5-1.5L/min。

8.根据权利要求7所述的一种高洁净度抛光片的制备工艺，其特征在于，所述步骤2)中二次精抛过程陶瓷盘转速30rpm；使用精抛垫，抛光垫转速30rpm，抛光垫温度30℃；使用稀释的精抛液，精抛液流量1.5L/min，抛光液温度20℃；抛光时间9min，其中最后30s使用稀释的活性剂，活性剂稀释比例1:50，活性剂流量1.0L/min。

9.根据权利要求1所述的一种高洁净度抛光片的制备工艺，其特征在于，所述步骤3)中去蜡清洗使用的去蜡剂为纯水，优选为电阻率＞18MΩ的纯水。

10.根据权利要求1所述的一种高洁净度抛光片的制备工艺，其特征在于，所述步骤4)得到的硅片颗粒度可达到：＞65nm≤20颗。