[发明专利]复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法

权利要求书

1.一种复合烧结体，其具备：

以氧化铝为主材料的基材；以及

配置在所述基材的内部或表面的电极，

所述电极包含钌、氧化锆和氧化铝。

2.根据权利要求1所述的复合烧结体，其中，

所述电极与所述基材的热膨胀系数之差的绝对值在40℃以上且1000℃以下的范围时为0.3ppm/℃以下。

3.根据权利要求1或2所述的复合烧结体，其中，

所述电极在室温下的电阻率为3.0×10^-5Ω·cm以下。

4.根据权利要求1或2所述的复合烧结体，其中，

所述电极中的所述氧化锆和所述氧化铝的合计含有率为20体积％以上。

5.根据权利要求1或2所述的复合烧结体，其中，

所述电极中的所述氧化铝的含有率是所述氧化锆的含有率的0.2倍以上且3.6倍以下。

6.根据权利要求1或2所述的复合烧结体，其中，

所述电极中的所述氧化铝的含有率大于所述氧化锆的含有率的3.6倍且为所述氧化锆的含有率的3.8倍以下。

7.根据权利要求1或2所述的复合烧结体，其中，

所述电极中的固体物中的所述钌、所述氧化锆和所述氧化铝的合计含有率为100体积％。

8.根据权利要求1或2所述的复合烧结体，其中，

在所述电极中，通过X射线衍射法得到的所述钌的主峰强度相对于所述钌和所述氧化锆的主峰强度之和的比为0.80以上且小于1.0。

9.根据权利要求1或2所述的复合烧结体，其中，

若将与所述电极的厚度方向平行的所述电极的截面SEM图像在厚度方向上进行3等分，并从厚度方向的一侧起依次设为第一区域、第二区域和第三区域，则中央的所述第二区域中的所述氧化锆的面积为所述第二区域与所述基材之间的所述第一区域中的所述氧化锆的面积的0.5倍以上且2.0倍以下。

10.根据权利要求1或2所述的复合烧结体，其中，

所述电极与所述基材的密合强度为90MPa以上。

11.一种半导体制造装置构件，其为在半导体制造装置中使用的半导体制造装置构件，使用权利要求1～10中任一项所述的复合烧结体来制作，

所述基材为圆板状，所述基材的主面用于载置半导体基板。

12.一种复合烧结体的制造方法，具备：

a)准备第一构件及第二构件的工序，所述第一构件及第二构件为以氧化铝为主材料的成型体、预烧体或烧结体；

b)在所述第一构件上赋予含有钌、氧化锆和氧化铝的糊状的电极材料并使其干燥的工序；

c)在所述第一构件上层叠所述第二构件而形成层叠体的工序；以及

d)对所述层叠体进行热压烧成的工序。

13.根据权利要求12所述的复合烧结体的制造方法，其中，

所述a)工序中的所述第一构件为预烧体或带成型体。

14.根据权利要求12或13所述的复合烧结体的制造方法，其中，

所述d)工序结束后的所述电极与所述第一构件的热膨胀系数之差的绝对值在40℃以上且1000℃以下的范围时为0.3ppm/℃以下。

15.根据权利要求12或13所述的复合烧结体的制造方法，其中，

所述d)工序中的烧成温度为1550℃以上且1650℃以下。