[发明专利]一种含铬含氰电镀废水的以废治废处理方法在审
申请号: | 202111074389.0 | 申请日: | 2021-09-14 |
公开(公告)号: | CN113716768A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 韩冰;马志领;焦运红;付钰盛 | 申请(专利权)人: | 河北大学 |
主分类号: | C02F9/08 | 分类号: | C02F9/08;C02F101/18;C02F101/20;C02F101/22;C02F103/16 |
代理公司: | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人: | 张莉静 |
地址: | 071002 *** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 含铬含氰 电镀 废水 废治废 处理 方法 | ||
本发明提供了一种含铬含氰电镀废水的以废治废处理方法,包括:(a)按铬元素与铜元素的摩尔比=8~18:1,将酸性含铬电镀废水边搅拌边加入到镀铜的含氰废水中,超声进行氧化还原反应,静置沉降,分离后得到Cr(OH)3沉淀和上层清液;(b)在步骤(a)所得的上层清液中加入酸液直至pH5,静置沉降,分离后得到Cu(I)沉淀和上层清液;(c)在步骤(b)所得上层清液中加入碱液直至pH为8.0‑8.5,沉降后得到Cu(OH)2和Cr(OH)3沉淀,所得的上层废液经检测合格后直接排放。本发明通过精准调节反应中组分含量及pH,超声激活氧化还原反应,以废治废,实现了镀铜、镀铬废水低成本处理及安全排放。
技术领域
本发明涉及电镀废水处理技术领域,具体地说是涉及一种含铬含氰电镀废水的以废治废处理方法。
背景技术
镀铬废水呈酸性,pH=2~6;铬主要以Cr(VI)的形式存在,毒性大,对人体具有致癌和诱发基因突变的危险。传统的处理法是在pH=2~3条件下向废水中加入如亚硫酸氢钠、焦亚硫酸钠、亚硫酸钠等还原剂,使Cr(Ⅵ)还原为Cr(III),然后再加入强碱NaOH或絮凝剂,沉淀分离除去废水中Cr(Ⅲ)。此法的优点是处理含铬废水后能达标排放,可回收利用氢氧化铬,操作比较简单。但是,在应用的过程中处理量较大,会产生部分污泥,由于沉渣堆积会再次造成污染,且试剂费用高,成本较大。
在镀铜废水方面,为得到高质量的铜镀膜,通常要降低溶液中游离铜离子的浓度,因此镀铜液中需加入配位剂。CN-是镀铜溶液广泛使用的配位剂。因此镀铜废水中的主要污染物为氰和铜(I),溶液呈碱性pH=8~11。HCN的pKa=9.21,为防止pH<7时氰化物分解出剧毒氢氰酸。一般控制pH≥8时采用氧化破氰法,如液氯、次氯酸钠等碱性氧化剂将CN-破坏转化成CO2和N2,从而达到出去氰化物的目的。
公知的Cr(VI)和Cr(III)氧化还原半反应是:
Cr(VI)在强酸性介质中有氧化性,因此,在本领域中,Cr(VI)在pH≥8时没被考虑过是否可以选为处理CN-的氧化剂。有些技术人员甚至得出结论,两种电镀废水不能混合处理。现有技术中处理含氰废水以及电镀铬废水时,通常将两者分开处理后再混合,特别是对于本身既含有氰化物又含有六价铬的含氰电镀铬废水的处理工序更加繁琐,且除杂效率不高。综上可知,研究一种含铬含氰电镀废水的以废治废处理方法具有重要的现实意义。
发明内容
本发明的目的是提供一种含铬含氰电镀废水的以废治废处理方法,以解决现有技术中,含铬电镀废水和含氰电镀废水需分开处理,工序繁琐,效率低,成本高的问题。
本发明技术方案为:一种含铬含氰电镀废水的以废治废处理方法,包括以下步骤:
(a)按铬元素与铜元素的摩尔比=8~18:1,将酸性含铬电镀废水边搅拌边加入到镀铜的含氰废水中,超声条件下进行氧化还原反应20-70min,之后静置沉降5~12h,分离后得到Cr(OH)3沉淀和上层清液;
(b)在步骤(a)所得的上层清液中加入酸液直至pH5,之后静置沉降5-12h,分离后得到Cu(I)沉淀和上层清液;
(c)在步骤(b)所得上层清液中加入碱液直至pH为7.5-8.5,沉降后得到Cu(OH)2和Cr(OH)3沉淀,所得的上层废液经检测合格后直接排放。
步骤(a)中,酸性含铬电镀废水与镀铜的含氰废水的混合废液pH为7.5-8.5。
步骤(b)中,所述酸液为硫酸。
步骤(c)中,所述碱液为NaOH溶液。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北大学,未经河北大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111074389.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种孵育装置
- 下一篇:一种代码覆盖率确定方法、系统、存储介质及电子设备