[发明专利]一种晶闸管驱动电路

说明书

本发明提供了一种晶闸管驱动电路，包括电源Vcc、驱动信号输入端、辅助开关电路、主开关电路、复磁电路、储能电容C1、二极管D1、变压器T1及晶闸管Qa；驱动信号输入端连接于辅助开关电路，驱动信号输入端用于输入驱动信号控制辅助开关电路的开通/关断，储能电容C1的一端节点分为两路，第一路通过二极管D1连接于电源Vcc，第二路连接于变压器T1原边的一端，储能电容C1的另一端节点分为两路，第一路连接于辅助开关电路，第二路经主开关电路连接于变压器T1原边的另一端，复磁电路连接于变压器T1原边的一端，晶闸管Qa连接于变压器T1的副边。该驱动电路有效降低了驱动电路损耗、对电源功率的需求及驱动成本，减小了驱动板的面积，提高了驱动电路的可靠性。

技术领域

本发明属于电路电子技术领域，尤其涉及一种晶闸管驱动电路。

背景技术

晶闸管是晶体闸流管的简称，又称可控硅整流器。晶闸管相对于其他电力电子器件能承受的电压和电流容量最高，且工作可靠，故在许多大功率和强干扰的场景中取得广泛运用。

为了减少晶闸管门极损耗，驱动电路通常采用脉冲形式进行驱动，现有的晶闸管驱动电路常采用电阻或其他无源器件来对晶闸管门极驱动电流限流，这就导致了驱动电路损耗大，效率低。

因此，相关技术还有待改进。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种晶闸管驱动电路，降低驱动电路的损耗。

为解决上述技术问题，本发明是这样实现的，一种晶闸管驱动电路，包括电源Vcc、驱动信号输入端、辅助开关电路、主开关电路、复磁电路、储能电容C1、二极管D1、变压器T1及晶闸管Qa；所述驱动信号输入端连接于所述辅助开关电路，所述驱动信号输入端用于输入驱动信号SCR＿DRV控制所述辅助开关电路的开关/关断，所述储能电容C1的一端节点分为两路，第一路通过所述二极管D1连接于所述电源Vcc，第二路连接于所述变压器T1原边的一端，所述储能电容C1的另一端节点分为两路，第一路连接于所述辅助开关电路，第二路经所述主开关电路连接于所述变压器T1原边的另一端，所述复磁电路连接于所述变压器T1原边的一端，所述晶闸管Qa连接于所述变压器T1的副边。

作为优选地，所述变压器T副边的一端与晶闸管Qa的阴极连接，变压器T副边的另一端依次经整流二极管D2、电阻R6接晶闸管Qa的门极。

作为优选地，所述辅助开关电路由各元器件组成，包括一个NPN型三极管Q1和一个PNP型三极管Q2，所述三极管Q1的集电极连接于所述电源Vcc，所述三极管Q1的发射极连接于所述三极管Q2的发射极，所述三极管Q2的集电极接地。

作为优选地，所述辅助开关电路为集成芯片，所述集成芯片用于为所述主开关电路提供驱动电压及为所述储能电容C1提供充放电回路。

作为优选地，所述驱动电路的驱动信号输入端经电阻R1分为两路，第一路与所述三极管Q1的基极连接，第二路与所述三极管Q2的基极连接。

作为优选地，所述主开关电路包括一MOS管Q3，所述MOS管Q3的漏极连接于所述变压器T1原边的另一端，所述MOS管Q3的源极接地，所述MOS管Q3的栅极接于所述三极管Q1的发射极以及所述储能电容C1的一端。

作为优选地，所述主开关电路还包括电阻R4和电阻R5；所述电阻R4接于所述储能电容C1和所述MOS管Q3的栅极之间，所述电阻R5接于所述MOS管的栅极和源极之间。

作为优选地，所述电阻R4接于所述三极管Q1的发射极与所述储能电容C1之间。

作为优选地，所述复磁电路包括二极管D3和稳压管D4，所述电源Vcc依次经过所述稳压管D4的阳极、阴极，所述二极管D3的阴极、阳极接于所述变压器T1原边的一端。

作为优选地，所述晶闸管驱动电路还包括电阻R3，所述三极管Q2的发射极通过所述电阻R3连接于所述储能电容C1一端。