[发明专利]一种光探测方法及光探测器在审

专利信息
申请号: 202111065492.9 申请日: 2021-09-10
公开(公告)号: CN113790744A 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 李梦洁;李卫东;赵志国;秦校军;李新连;熊继光;刘家梁;夏渊;文军;丁坤;冯笑丹 申请(专利权)人: 华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
主分类号: G01D5/26 分类号: G01D5/26;H01L51/42;H01L51/46
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 柳虹
地址: 100036 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 探测 方法 探测器
【权利要求书】:

1.一种光探测方法,其特征在于,应用于光探测器,所述光探测器包括第一电极和第二电极,以及所述第一电极和所述第二电极之间的钙钛矿层,所述方法包括:

通过外置偏压对所述光探测器进行极化处理,以使所述钙钛矿层中的导电离子分别迁移至所述第一电极和所述钙钛矿层之间的第一界面处,以及所述第二电极和所述钙钛矿层之间的第二界面处;

完成所述光探测器的极化处理后,对所述光探测器进行电流检测。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述外置偏压的电场强度范围为0.5~2V/μm。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述光探测器的极化处理时间为1~300秒。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的方法,其特征在于,所述钙钛矿层经过巯基乙胺掺杂处理。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述钙钛矿层中钙钛矿材料和巯基乙胺的摩尔比例为1:0.01~1:0.5。

6.根据权利要求1-3任意一项所述的方法,其特征在于,所述钙钛矿层的厚度范围为100~1000nm。

7.一种光探测器,其特征在于,包括:

第一电极和第二电极,以及所述第一电极和所述第二电极之间的钙钛矿层;所述钙钛矿层中掺有巯基乙胺,对所述光探测器进行电流检测之前,通过外置偏压对所述光探测器进行极化处理,以使所述钙钛矿材料中的导电离子分别迁移至所述第一电极和所述钙钛矿层之间的第一界面处,以及所述第二电极和所述钙钛矿层之间的第二界面处。

8.根据权利要求7所述的光探测器,其特征在于,所述钙钛矿层经过巯基乙胺掺杂处理。

9.根据权利要求8所述的光探测器,其特征在于,所述钙钛矿层中钙钛矿材料和巯基乙胺的摩尔比例为1:0.01~1:0.5。

10.根据权利要求7-9任意一项所述的光探测器,其特征在于,所述钙钛矿层的厚度范围为100~1000nm。

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