[发明专利]一种闪存的二维磨损均衡方法及固态硬盘

权利要求书

1.一种闪存的二维磨损均衡方法，其特征在于，包括：

分别获取闪存内各闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值，并分别获取已注入电子的所述各闪存块的电子泄漏趋向值；

求取所述各闪存块的电子泄漏程度值的泄漏程度平均值，并求取所述各闪存块的电子泄漏趋向值的泄漏趋向平均值；

分别求取所述各闪存块的电子泄漏程度值与所述泄漏程度平均值的泄漏程度差值，并分别求取所述各闪存块的电子泄漏趋向值与所述泄漏趋向平均值的泄漏趋向差值；

以所述泄漏程度差值小于预设第一维度阈值及所述泄漏趋向差值小于预设第二维度阈值为约束，对所述各闪存块进行擦写操作。

2.如权利要求1所述的闪存的二维磨损均衡方法，其特征在于，分别获取闪存内各闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值，包括：

根据LL＝f(EPC)*f(f1(T1)*IRBER)或LL＝f(EPC)*f(f1(T1)*IFBC)计算目标闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值LL；其中，所述目标闪存块为任一所述闪存块；

其中，EPC为所述目标闪存块的擦除次数；T1为所述目标闪存块在刚注入电子后的温度值；f1(T1)为温度值T1对应的第一温度补偿系数；IRBER为所述目标闪存块在刚注入电子后的IRBER值；IFBC为所述目标闪存块在刚注入电子后的IFBC值；EPC和IRBER/IFBC与LL之间呈正相关关系。

3.如权利要求2所述的闪存的二维磨损均衡方法，其特征在于，分别获取已注入电子的所述各闪存块的电子泄漏趋向值，包括：

根据LT＝f(△RBER/Δt)*f2(T2)或LT＝f(△FBC/△t)*f2(T2)计算所述目标闪存块在预设时间△t内的电子泄漏趋向值LT；

其中，△RBER为所述目标闪存块在预设时间△t内的RBER增长量；ΔFBC为所述目标闪存块在预设时间△t内的FBC增长量；T2为所述目标闪存块在预设时间Δt内的平均温度值；f2(T2)为平均温度值T2对应的第二温度补偿系数；ΔRBER/Δt与LT之间呈正相关关系。

4.如权利要求3所述的闪存的二维磨损均衡方法，其特征在于，分别获取闪存内各闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值，还包括：

将所述目标闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值乘以预设第一比例因子，并将乘积结果作为所述目标闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值；

分别获取已注入电子的所述各闪存块的电子泄漏趋向值，还包括：

将所述目标闪存块在预设时间内的电子泄漏趋向值乘以预设第二比例因子，并将乘积结果作为所述目标闪存块在预设时间内的电子泄漏趋向值。

5.如权利要求1-4任一项所述的闪存的二维磨损均衡方法，其特征在于，以所述泄漏程度差值小于预设第一维度阈值及所述泄漏趋向差值小于预设第二维度阈值为约束，对所述各闪存块进行擦写操作，包括：

从所述各闪存块中选择所述泄漏程度差值小于预设第一低阈值的目标闪存块；其中，所述预设第一低阈值小于所述预设第一维度阈值；

基于数据保持时间均衡策略，从所述目标闪存块中选择所需的擦除块，供冷热数据写入。

6.如权利要求5所述的闪存的二维磨损均衡方法，其特征在于，基于数据保持时间均衡策略，从所述目标闪存块中选择所需的擦除块，供冷热数据写入，包括：

从所述目标闪存块中选择所述泄漏趋向差值大于预设第一阈值的第一闪存块，以从所述第一闪存块中选择所需的擦除块，供热数据写入；

从所述目标闪存块中选择所述泄漏趋向差值小于预设第二阈值的第二闪存块，以从所述第二闪存块中选择所需的擦除块，供冷数据写入；其中，所述预设第二阈值小于等于所述预设第一阈值，且所述预设第一阈值小于所述预设第二维度阈值。