[发明专利]n型立体缺陷金属墙方向图修正的去耦结构

说明书

本发明公开了一种n型立体缺陷金属墙方向图修正的去耦结构，其结构包括平行于E面放置的n型缺陷金属墙和两组贴片天线。所述缺陷金属墙贯穿所述介质基板并与所述金属地板相连，两组所述贴片天线的间距为λ₀/20，采用微带线馈电，并用四分之一波长阻抗变换器调整阻抗匹配。该结构在满足去耦和匹配要求的前提下，还修正了H面的辐射方向图，提高了E面的实际增益，从而较好的解决了现有紧间距去耦结构中存在的方向图偏移问题。

技术领域

本发明涉及天线去耦结构领域，尤其涉及一种n型立体缺陷金属墙方向图修正的去耦结构。

背景技术

由于现代设备小型化的发展，去耦已经成为相控阵和多输入多输出天线等多天线系统中的关键技术之一，它们的性能受天线单元的影响，尤其是方向图。

为了减少天线之间的耦合，现阶段采取的技术方法主要有缺陷地技术，即在天线的接地板上开缝从而抑制电流以实现去耦的目的；电磁带隙技术，即在天线单元之间加入谐振结构以此来抑制表面波；场对消技术，即通过引入额外路径的耦合来抵消原来的耦合，从而实现天线之间的去耦合。但是无论哪种方法，现阶段的这些技术在紧间距的情况下都面临着方向图偏移的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种n型立体缺陷金属墙方向图修正的去耦结构，旨在解决现有技术中的方向图偏移的技术问题。

为实现上述目的，本发明采用的一种n型立体缺陷金属墙方向图修正的去耦结构，包括缺陷金属墙和两组贴片天线。两组所述贴片天线并列排布，所述缺陷金属墙嵌设在两组所述贴片天线之间，所述缺陷金属墙平行于天线E面放置。

其中，每组所述贴片天线由辐射贴片、阻抗变换器、微带线、介质基板和金属地板组成，所述辐射贴片、所述阻抗变换器和所述微带线均设置在所述介质基板的上表面，所述金属地板与所述介质基板固定连接，并位于所述介质基板的下方。

其中，两组所述贴片天线的介质基板连成一个整体并呈公用层形式设置，所述金属地板呈同样设置。

其中，所述缺陷金属墙贯穿所述介质基板与所述金属地板固定连接，所述缺陷金属墙与所述介质基板所在的平面垂直设置。

其中，所述缺陷金属墙包括介质板和两组金属条带，两组所述金属条带分别设置在所述介质板的两侧，并关于所述介质板对称布置。

其中，每组所述金属条带包括第一金属条带、第二金属条带和第三金属条带，所述第一金属条带的一端贯穿所述介质基板并与所述金属地板相连，所述第一金属条带的另一端与所述缺陷金属墙的顶端持平，所述第三金属条带与第一金属条带关于所述介质板中心对称放置，所述第二金属条带分别与所述第一金属条带和第三金属条带垂直相连。

本申请文件中先关术语有，E面：电场矢量所在的平面，H面：磁场矢量所在的平面。

本发明有益效果为：在满足去耦和匹配要求的前提下，修正了H面的辐射方向图，提高了E面的实际增益，从而较好的解决了现有技术中存在的方向图偏移的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明提供的n型立体缺陷金属墙方向图修正的去耦结构的结构示意图。

图2是本发明提供的n型立体缺陷金属墙方向图修正的去耦结构的俯视图。

图3是本发明提供的n型立体缺陷金属墙方向图修正的去耦结构的部分结构示意图。

图4是本发明提供的无去耦结构和所提出结构的散射参数随频率变化示意图。