[发明专利]一种PtSx

权利要求书

1.一种PtS_x高性能光电器件，其特征在于，包括由下自上依次生长的基底、PtS_x薄层、两个电极，所述基底的上表面生长有所述PtS_x薄层，所述PtS_x薄层的上表面设有所述两个电极，1≤x≤2；

所述PtS_x薄层的材质为PtS₂和PtS的复合物；

所述PtS_x薄层的厚度为1-30 nm。

2.根据权利要求1所述的一种PtS_x高性能光电器件，其特征在于，所述PtS_x薄层的厚度为3-11 nm。

3.根据权利要求2所述的一种PtS_x高性能光电器件，其特征在于，所述PtS_x薄层的厚度为11 nm。

4.根据权利要求1所述的一种PtS_x高性能光电器件，其特征在于，所述光电器件的光谱响应范围200-1500 nm；所述基底为蓝宝石或氮化镓或碳化硅。

5.根据权利要求1所述的一种PtS_x高性能光电器件，其特征在于，所述两个电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极为Ti/Au组合电极、Ti/Al/Ni/Au组合电极、Ti/Al/Pt/Au组合电极中的任一种，所述第二电极为Ti/Au组合电极、Ti/Al/Ni/Au组合电极、Ti/Al/Pt/Au组合电极中的任一种。

6.权利要求1-5任一所述的PtS_x高性能光电器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）Pt沉积：在基底表面沉积一层图形化金属铂薄层；

（2）硫化：通过化学气相沉积法，利用硫化氢气体、氢气和氩气的混合气体，在高温条件下，硫化图形化金属铂薄层，高温条件是指不低于150℃的温度条件；

（3）自然冷却：自然降温形成PtS_x薄层；

（4）电极沉积：通过掩膜版设计两个电极的样式和沟道的长度，并通过电子束蒸发的方式在每个图形化的PtS_x薄层上制备两个电极，形成PtS_x高性能光电器件；

步骤（1）中，通过掩膜版设计图形化金属铂薄层图形，并通过电子束蒸发的方式在基底上沉积1-10 nm金属铂，形成图形化金属铂薄层；

步骤（2）中，在400-700℃下，硫化图形化金属铂薄层。

7.根据权利要求6所述的PtS_x高性能光电器件的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，在700℃下，硫化图形化金属铂薄层。

8.根据权利要求6所述的PtS_x高性能光电器件的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，硫化氢气体、氢气和氩气的混合气体中，硫化氢气体为60sccm，氢气为20sccm，氩气为60sccm；硫化时间为30-180min。

9.根据权利要求6所述的PtS_x高性能光电器件的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，通过电子束蒸发的方式在基底上沉积1-5 nm金属铂。

10.权利要求1-5任一所述的PtS_x高性能光电器件的应用，其特征在于，将第一电极和第二电极之间的PtS_x薄层设定为光照区域，进行光检测，或作为气体探测器使用。