[发明专利]通过离子交换增强的荧光硅酸锂玻璃陶瓷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202111052961.3 申请日: 2021-09-08
公开(公告)号: CN113716871B 公开(公告)日: 2023-06-06
发明(设计)人: 郑海峰;韩成玮;金天罡;陈拥庆;孟雪 申请(专利权)人: 深圳爱尔创口腔技术有限公司
主分类号: C03C10/04 分类号: C03C10/04;C03C21/00;C03B11/00;C03B32/02;C03B19/00;C03C4/12
代理公司: 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 代理人: 刘继富;王春伟
地址: 518000 广东省深圳市南山区西丽*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 通过 离子交换 增强 荧光 硅酸 玻璃 陶瓷 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种荧光硅酸锂玻璃陶瓷的制备方法,其包括:

(1)配制基础玻璃料,其中,所述基础玻璃料包含以下质量的组分:

(2)将所述基础玻璃料通过熔制、水淬成玻璃熔块;

(3)将所述玻璃熔块烘干研磨成粒径1-50μm的基础玻璃粉体,与粒径0-10μm的着色剂粉体混合,倒入磨具压制成型,经等静压或直接干压后进行热处理得到成型坯体;

(4)将得到的成型坯体进行真空气氛烧结;

(5)将坯体通过CAD/CAM或热压铸工艺加工得到玻璃陶瓷修复体;

(6)将所述玻璃陶瓷修复体浸没在熔盐中,浸没时间为0.2-8h,得到离子交换增强的荧光玻璃陶瓷修复体,其中,所述熔盐包含钾盐以及荧光剂;

其中,所述钾盐为KNO3、K2CO3和K2SiCO3,基于所述熔盐的总重量,所述KNO3含量为96-99.5wt%,所述K2CO3含量为0-2wt%,所述K2SiCO3含量为0-3wt%,

所述荧光剂选自Eu、Dy、Tm、Er、Ho、Yb、Nd、Sm、Gd的硝酸水合物中的至少一种,基于所述钾盐的总重量,所述荧光剂的含量为1-2wt%。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述KNO3含量为97.5-99.5wt%,所述K2CO3含量为0.25-1wt%,所述K2SiCO3含量为0.25-2wt%。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述着色剂包括Pr2O3、Cr2O3、Co2O3、Nd2O3、V2O5、NiO、MnO、Er2O3、锆铁红、锆镨黄、铬铁红、铁铬锌棕中的至少一种,基于所述基础玻璃料总重量,所述着色剂含量为0-5wt%。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述基础玻璃料中包含以下质量的组分:

5.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述基础玻璃料的粉体粒径为2-30μm,所述着色剂粉体粒径为0.5-5μm。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述熔盐的温度为250-660℃。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其中,所述熔盐的温度为420-500℃。

8.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述熔制过程的温度为1250-1650℃,时间为30-180min。

9.根据权利要求8所述的制备方法,其中,所述熔制过程的温度为1450-1550℃,时间为40-120min。

10.根据权利要求1所述的制备方法,其中,在所述真空气氛烧结过程中,真空度为300-5000Pa,烧结温度为400-950℃,时间为30-240min。

11.根据权利要求10所述的制备方法,其中,真空度为1000-3500Pa。

12.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述CAD/CAM加工过程为:将所述坯体进行铣削加工,再将加工后的坯体在烤瓷炉中进行晶化烧结,得到所述玻璃陶瓷修复体,其中,所述晶化烧结温度为850-920℃,真空度为1000-3500Pa,时间为40-120min。

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