[发明专利]掩模版制造装置在审
申请号: | 202111052413.0 | 申请日: | 2021-09-08 |
公开(公告)号: | CN113655688A | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 叶小龙;侯广杰;黄执祥;谢超 | 申请(专利权)人: | 深圳市龙图光电有限公司 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68;B05B17/06 |
代理公司: | 深圳壹舟知识产权代理事务所(普通合伙) 44331 | 代理人: | 欧志明 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 模版 制造 装置 | ||
本发明属于掩模版制造领域,尤其涉及一种掩模版制造装置,包括:承托结构;第一液体雾化组件,包括第一微粒均布板以及第一液体高频超声雾化器,第二液体雾化组件,包括第二微粒均布板以及第二液体高频超声雾化器,气流引流扩散组件,设有两个,并分别左右设置,气流引流扩散组件包括均流结构以及气流发生装置,均流结构包括上下设置的上均流板和下均流板。本发明能够使得掩模版上下表面同时获得的光学结构层的厚度均匀、密度一致。
技术领域
本发明属于掩模版制造领域,尤其涉及一种掩模版制造装置。
背景技术
对于掩模版的上表面和下表面的光学结构层,也即是抗反射涂层,多采用向掩模版喷淋光学液体的方式形成,其中,由于喷淋剂量难以控制,这是使得光学结构层存在厚度、密度不一致的问题。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的不足,提供了一种掩模版制造装置,其旨在解决光学结构层存在厚度、密度不一致的问题。
本发明是这样实现的:
一种掩模版制造装置,包括:
承托结构,用于支撑掩模版,并能够带动所述掩模版绕一上下方向延伸的转动轴线转动;
第一液体雾化组件,包括第一微粒均布板以及第一液体高频超声雾化器,所述第一微粒均布板位于所述掩模版上方,并与所述掩模版间隔设置,所述第一液体高频超声雾化器用于将光学液体雾化并产生液体微粒,所述第一微粒均布板用于使所述第一液体高频超声雾化器产生的液体微粒在第一区域内均布且向下飘,所述第一区域在左右方向上的长度大于所述掩模版绕所述转动轴线转动时所扫过的区域在左右方向上的长度,所述第一区域在前后方向上的长度小于所述掩模版绕所述转动轴线转动时所扫过的区域在前后方向上的长度,其中,所述转动轴线穿过所述第一区域;
第二液体雾化组件,包括第二微粒均布板以及第二液体高频超声雾化器,所述第二微粒均布板位于所述掩模版下方,并与所述掩模版间隔设置,所述第二液体高频超声雾化器用于将光学液体雾化并产生液体微粒,所述第二微粒均布板用于使所述第二液体高频超声雾化器产生的液体微粒在第二区域均布且向上飘,所述第二区域与所述第一区域对应设置;
气流引流扩散组件,设有两个,并分别左右设置,所述气流引流扩散组件包括均流结构以及气流发生装置,所述均流结构包括上下设置的上均流板和下均流板,所述上均流板靠近所述掩模版的板边位于所述掩模版的上方,并朝远离所述掩模版的方向延伸,所述下均流板靠近所述掩模版的板边位于所述掩模版的下方,并朝远离所述掩模版的方向延伸,所述气流发生装置用于在所述上均流板和所述下均流板之间产生背离所述掩模版方向的气流。
可选地,所述上均流板朝上倾斜设置;
所述下均流板朝下倾斜设置。
可选地,所述气流引流扩散组件还包括稳流结构,所述稳流结构包括第一稳流板和第二稳流板,所述第一稳流板位于所述上均流板和所述第二稳流板之间,所述第一稳流板与所述上均流板间隔设置,且还与所述第二稳流板间隔设置,所述第一稳流板靠近所述掩模版的板缘的水平位低于所述掩模版的上表面的水平位,所述第一稳流板朝背离所述掩模版的方向延伸,且向上倾斜设置,所述第二稳流板位于所述下均流板和所述第一稳流板之间,所述第二稳流板与所述下均流板间隔设置,且还与所述第一稳流板间隔设置,所述第二稳流板靠近所述掩模版的板缘的水平位低于所述掩模版的下表面的水平位,所述第二稳流板朝背离所述掩模版的方向延伸,且向下倾斜设置。
可选地,所述第一稳流板靠近所述掩模版的板缘到所述上均流板的距离小于所述第一稳流板远离所述掩模版的板缘到所述上均流板的距离;
所述第二稳流板靠近所述掩模版的板缘到所述下均流板的距离等于所述第一稳流板远离所述掩模版的板缘到所述上均流板的距离。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市龙图光电有限公司,未经深圳市龙图光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111052413.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:焊缝清理系统及焊缝清理方法
- 下一篇:一种实时报警服务平台系统
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备