[发明专利]一种实时芯片功耗预测的校核方法

权利要求书

1.一种实时芯片功耗预测的校核方法，其特征在于，包括以下步骤：

A)、芯片工作台搭建：

确定芯片及其所安装的PCB外围核电或高速供电网络，在所述的外围核电或高速供电网络上布置一组电源监测点；将稳压电源接入所述电源监测点；

B)、安装热电偶和电流采集器：

将热电偶贴在芯片表面上的标定温度点，将电流表接入到所述电源监测点；

C)、调整功能电路工作状态：

调整芯片功能电路的工作状态，确定芯片的工作载荷，确定环境温度；

D)、采集芯片温度：

为所述芯片设置多个温度采集点并测量所述温度采集点的温度；

记录各所述采集点的温度变化曲线；记录温度变化曲线稳定时候的温度值；通过各所述温度值求出所述芯片的平均温度；

E)、采集芯片电流：

采集芯片在所述工作状态时的供电电流和供电电压；

F)、理论计算获得功耗：

根据所述供电电流和所述供电电压得到所述芯片的功率；

G)、仿真计算：

为所述芯片设置热模型及环境参数；

H)、数值计算芯片表面温度：

通过所述热模型、所述功率和所述环境参数仿真计算得到芯片表面温度；

I)、数据对比：

比对所述平均温度和所述芯片表面温度，如相对误差小于或等于10％，则进行多种工况判断；如相对误差大于10％，则测试终止，判断为测试不准确；

其中，所述多种工况判断的方式为：重复所述C)-I)，直至所有功能电路的工作状态完成测试。

2.根据权利要求1所述的实时芯片功耗预测的校核方法，其特征在于，在所述A)中，所述稳压电源满足所述芯片的正常工作，接入的线缆的负载满足所述芯片的最大载流。

3.根据权利要求1所述的实时芯片功耗预测的校核方法，其特征在于，所述温度采集点至少包括所述芯片的四角和中心点。

4.根据权利要求1所述的实时芯片功耗预测的校核方法，其特征在于，所述功能电路工作状态至少包括空载状态和满负荷状态。