[发明专利]显示基板及其亮度补偿方法、显示装置在审
| 申请号: | 202111050814.2 | 申请日: | 2021-09-08 |
| 公开(公告)号: | CN113629123A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
| 发明(设计)人: | 魏俊波;杨盛际;卢鹏程;黄冠达;田元兰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;云南创视界光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3208 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 及其 亮度 补偿 方法 显示装置 | ||
一种显示基板,包括:硅基衬底,硅基衬底具有显示区域、位于显示区域周边的外围区域、位于外围区域一侧的绑定区域,绑定区域的硅基衬底内集成有焊盘组件;焊盘组件包括至少一个第一绑定电极;外围区域的硅基衬底上设置有至少一个发光传感器组,发光传感器组与第一绑定电极电连接;发光传感器组在接收测试电流后,通过第一绑定电极输出检测电压。
技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域,尤指一种显示基板及其亮度补偿方法、显示装置。
背景技术
微型有机发光二极管(Micro-OLED,Micro Organic Light-Emitting Diode)是近年来发展起来的微型显示器,硅基有机发光二极管(OLED,Organic Light-EmittingDiode)为其中一种。硅基OLED具有高像素密度(PPI,Pixels Per Inch),体积小,高对比度的特点,采用成熟的集成电路互补金属氧化物半导体(CMOS,Complementary Metal OxideSemiconductor)工艺制成,实现了像素的有源寻址,可以实现在硅基衬底上制备包括时序控制(TCON)电路、过电流保护(OCP,Over Current Protection)电路等多种功能电路,有利于减小系统体积,实现轻量化。硅基OLED广泛应用于虚拟现实、增强现实近眼显示领域中,特别是增强现实(AR,Augmented Reality)/虚拟现实(VR,Virtual Reality)头戴显示装置中。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
第一方面,本公开实施例提供了一种显示基板,包括:硅基衬底,所述硅基衬底具有显示区域、位于所述显示区域周边的外围区域、位于所述外围区域一侧的绑定区域,所述绑定区域的硅基衬底内集成有焊盘组件;所述焊盘组件包括至少一个第一绑定电极;所述外围区域的硅基衬底上设置有至少一个发光传感器组,所述发光传感器组与所述第一绑定电极电连接;所述发光传感器组在接收测试电流后,通过所述第一绑定电极输出检测电压。
第二方面,本公开实施例提供了一种显示基板的亮度补偿方法,应用于上述显示基板,该方法包括:向至少一个发光传感器组提供测试电流,并通过与所述发光传感器组电连接的第一绑定电极获取检测电压;根据所述检测电压和测试电流,确定所述发光传感器组的内阻测试结果;根据所述发光传感器组的内阻测试结果,对显示区域的发光元件进行亮度补偿。
第三方面,本公开实施例提供了一种显示装置,包括上述显示基板。
本公开实施例提供的显示基板,能够检测发光传感器组所在位置处的内阻,进而获知显示区域的发光元件的内阻,就可以根据发光元件的内阻变化调节显示亮度,能够保证显示基板亮度的均一性。
本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
在阅读并理解了附图和详细描述后,可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案,并不构成对本申请技术方案的限制。
图1为一示例中显示基板的结构示意图;
图2为一示例中显示基板连接柔性线路板的示意图;
图3为一示例中显示区域的局部剖视图;
图4为一示例中显示基板的平面示意图;
图5为一示例中采用内部电流源进行检测时的电路结构示意图;
图6为一示例中采用外部电流源进行检测时的电路结构示意图;
图7为一示例中亮度补偿方法的流程图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;云南创视界光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;云南创视界光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111050814.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





