[发明专利]用于微加工超声换能器的电接触布置

权利要求书

1.一种设备，包括：

片上超声装置，其具有包括第一超声换能器单元和第二超声换能器单元的多个超声换能器单元，所述第一超声换能器单元和所述第二超声换能器单元对应于所述片上超声装置的多个腔中的相应的第一腔和第二腔；以及

针对所述多个超声换能器单元中的所述第一超声换能器单元和所述第二超声换能器单元中的每一个，设置在集成电路与所述片上超声装置的第一层之间的多个导电连接，所述第一层处于所述多个腔与所述集成电路之间。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一超声换能器单元和所述第二超声换能器单元被设置成靠近所述第一层的第一侧，并且所述多个导电连接设置在所述第一层的第二侧与所述集成电路之间。

3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述多个超声换能器单元中的所述第一超声换能器单元的多个导电连接相对于所述第一超声换能器单元的区域基本上均匀地分布。

4.根据权利要求2所述的设备，其中，所述多个导电连接包括以下中的一个或更多个：热压连接、共晶连接或硅化物连接。

5.根据权利要求2所述的设备，其中，所述第一超声换能器单元和所述第二超声换能器单元的所述多个导电连接的第一端处接触所述第一层的导电部分，并且所述多个导电连接的第二端处接触所述集成电路的金属层。

6.根据权利要求2所述的设备，还包括所述第一层的多个声学非活动区域，以及连接至所述多个声学非活动区域中的第一声学非活动区域和第二声学非活动区域的相应单个导电连接，所述相应单个导电连接设置在所述第一层与所述集成电路之间。

7.根据权利要求6所述的设备，其中，基板的第一声学非活动区域和第二声学非活动区域设置在所述多个超声换能器单元中的相应的相邻成对超声换能器单元之间。

8.根据权利要求7所述的设备，其中，所述多个超声换能器单元中的超声换能器单元通过在所述第一层中形成的隔离沟槽在基板的所述第一层的导电部分上彼此电隔离。

9.根据权利要求8所述的设备，其中，所述隔离沟槽形成与超声换能器单元对应的八边形区域。

10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述第一声学非活动区域和所述第二声学非活动区域中的每一个由四个相邻八边形区域之间的边界限定。

11.根据权利要求2所述的设备，其中，所述第一超声换能器单元和所述第二超声换能器单元的所述多个导电连接中的每个导电连接与最近的相邻导电连接分开约100微米(μm)或更小的距离。

12.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一层包括复合基板的一部分，所述复合基板包括第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板连接在一起以在所述第一基板与所述第二基板之间限定所述多个腔。

13.根据权利要求12所述的设备，还包括：

导电密封环，其围绕由所述多个超声换能器单元限定的超声换能器阵列；

所述复合基板的多个声学非活动区域；以及

与所述多个声学非活动区域中的第一声学非活动区域和第二声学非活动区域中的每一个的单个导电连接。

14.根据权利要求13所述的设备，其中，所述多个导电连接包括以下中的一个或更多个：热压连接、共晶连接或硅化物连接。

15.根据权利要求13所述的设备，其中，

所示复合基板的第一基板对应于所述超声换能器阵列的膜；

所述复合基板的第二基板通过所述多个导电连接而连接至所述集成电路；并且

所述导电密封环经由所述第二基板的与所述超声换能器阵列的底部电极接触部电隔离的部分提供所述第一基板与所述集成电路之间的电连接。