[发明专利]信号调整单元、信号调整模块及测试机有效
申请号: | 202111048233.5 | 申请日: | 2021-09-08 |
公开(公告)号: | CN113484737B | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 魏津;胡雪原;鄢书丹 | 申请(专利权)人: | 绅克半导体科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28;G01R1/02 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 李柏柏 |
地址: | 215000 江苏省苏州市高新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 信号 调整 单元 模块 测试 | ||
1.一种信号调整单元,其用于调整测试通道输出信号的压摆率,其特征在于,包括:
控制端,其包括多个模拟联动开关;
信号调整电路,其包括场效应管和SRD二极管,所述场效应管和所述SRD二极管串联,所述场效应管连接其中一个所述模拟联动开关,所述SRD二极管连接另一个所述模拟联动开关,利用所述SRD二极管把所述测试通道的输出信号调整为阶跃脉冲信号;
节点,其作为信号汇接点,所述节点的一端连接所述测试通道的输出端,所述节点的另一端连接所述信号调整电路的输出端,通过所述节点实现两个输出端的短接,从而使所述测试通道输出端的电信号能够被所述信号调整电路所调整;
当输出信号为上升沿脉冲信号或下降沿脉冲信号时,给所述模拟联动开关一控制指令,使得所述模拟联动开关由初始的待机状态切换至工作状态,以使场效应管导通,从而让所述SRD二极管处于由正偏压转换为负偏压并形成强大的反向电流状态,且在所述SRD二极管所有的少数载流子都被抽出后,所述SRD二极管的反向电流瞬间截止,以在所述节点上实现高压摆率的上升沿阶跃脉冲信号或下降沿阶跃脉冲信号。
2.如权利要求1所述的一种信号调整单元,其特征在于:在所述节点上实现高压摆率的所述上升沿阶跃脉冲信号或所述下降沿阶跃脉冲信号后,给所述模拟联动开关一控制指令,使得所述模拟联动开关由工作状态切换为初始的待机状态,以使所述场效应管截止,从而让所述SRD二极管处于正偏压并存储少数载流子电荷的状态。
3.如权利要求2所述的一种信号调整单元,其特征在于:所述场效应管的栅极连接其中一个所述模拟联动开关的动端,所述SRD二极管与所述场效应管的串联连接点连接另一个所述模拟联动开关的动端,所述模拟联动开关的固定端分别连接不同的直流偏置电压或者悬空。
4.如权利要求3所述的一种信号调整单元,其特征在于:所述信号调整电路还包括限流电阻,所述限流电阻设置在所述模拟联动开关和所述SRD二极管之间。
5.如权利要求4所述的一种信号调整单元,其特征在于:当所述输出信号为上升沿脉冲信号时,所述SRD二极管的正极连接输出信号低电平所对应的电压源,所述SRD二极管的负极连接所述场效应管。
6.如权利要求5所述的一种信号调整单元,其特征在于:当所述输出信号为上升沿脉冲信号时,所述场效应管为NMOS管。
7.如权利要求6所述的一种信号调整单元,其特征在于:当所述测试通道的输出信号需要输出上升沿脉冲信号时,连接所述SRD二极管的所述模拟联动开关切换至断开状态,或者此模拟联动开关的动端切换至下触点,该下触点悬空,以使所述SRD二极管断开与一直流偏置电压的连接,连接所述NMOS管的所述模拟联动开关的动端切换至下触点,从该下触点导入的直流偏置电压使所述NMOS管导通,从而使所述SRD二极管处于由正偏压转换为负偏压并形成强大的反向电流状态,并随后在反向电流瞬间截止时,在所述节点获得一上升沿阶跃脉冲信号,并随即切换为待机状态。
8.如权利要求4所述的一种信号调整单元,其特征在于:当所述输出信号为下降沿脉冲信号时,所述SRD二极管的负极连接输出信号高电平所对应的电压源,所述SRD二极管正极接所述场效应管。
9.如权利要求8所述的一种信号调整单元,其特征在于:当所述输出信号为下降沿脉冲信号时,所述场效应管为PMOS管。
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