[发明专利]一种铝硅靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 202111048216.1 | 申请日： | 2021-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN113774339B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;章丽娜;罗明浩 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B21J5/00;C22F1/043 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铝硅靶材 及其 制备 方法 | ||
1.一种铝硅靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将铝硅靶坯依次进行第一锻伸、第一热处理、第二锻伸、第二热处理、压制和第三热处理；
所述第一锻伸包括依次进行的预热和拔长；所述拔长至铝硅靶坯原长度的180-210％；
所述第二锻伸包括依次进行的预热、墩粗和拔长；所述墩粗至铝硅靶坯原长度的100-110％，所述拔长至铝硅靶坯原长度的185-205％；
所述第一锻伸与第二锻伸的预热温度分别为140-160℃；
所述第一热处理的温度为485-495℃；
所述第二热处理的温度为385-395℃；
所述第三热处理的温度为345-355℃；
所述压制包括依次进行的第一压制和第二压制；所述第一压制至铝硅靶坯原长度的45-55％，所述第二压制至铝硅靶坯原长度的35-45％。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一热处理的时间为10-20min。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二热处理的时间为10-20min。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第三热处理的时间为10-20min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第三热处理之后还包括依次进行的校平和抛光。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述校平后铝硅靶材的平面度≤0.5mm。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述抛光后铝硅靶材的粗糙度≤0.8μm。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)第一锻伸：在140-160℃下预热，拔长至铝硅靶坯原长度的180-210％；
(2)第一热处理：在485-495℃下热处理10-20min；
(3)第二锻伸：在140-160℃下预热，墩粗至铝硅靶坯原长度的100-110％，拔长至铝硅靶坯原长度的185-205％；
(4)第二热处理：在385-395℃下热处理10-20min；
(5)压制：第一压制至铝硅靶坯原长度的45-55％；第二压制至铝硅靶坯原长度的35-45％；
(6)第三热处理：在345-355℃下热处理10-20min；
(7)校平：将铝硅靶材校平至平面度≤0.5mm；
(8)抛光：将铝硅靶材抛光至粗糙度≤0.8μm。
9.一种铝硅靶材，其特征在于，所述铝硅靶材采用如权利要求1-8任一项所述的制备方法制备得到。
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