[发明专利]一种钝化钙钛矿薄膜层的方法及其在太阳能电池中的应用在审
| 申请号: | 202111047117.1 | 申请日: | 2021-09-08 |
| 公开(公告)号: | CN113809240A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
| 发明(设计)人: | 谢江生;温彬;高平奇 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
| 主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42 |
| 代理公司: | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人: | 高冰 |
| 地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 钝化 钙钛矿 薄膜 方法 及其 太阳能电池 中的 应用 | ||
1.一种钝化钙钛矿薄膜层的方法,其特征在于,以N,N`-二甲基乙二胺作为络合剂,利用N,N`-二甲基乙二胺与钙钛矿之间的螯合作用,从而使钙钛矿薄膜层的表面得到钝化。
2.根据权利要求1所述的一种钝化钙钛矿薄膜层的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、制备钙钛矿前驱体溶液;
S2、在预处理的ITO导电玻璃上沉积电子传输层;
S3、将步骤S1的钙钛矿前驱体溶液旋涂在步骤S2的电子传输层上,生成黑色的钙钛矿薄膜;
S4、在步骤S3的钙钛矿薄膜上旋涂N,N`-二甲基乙二胺前驱体溶液,使钙钛矿薄膜层的表面得到钝化。
3.根据权利要求1所述的一种钝化钙钛矿薄膜层的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、制备钙钛矿前驱体溶液,往所述前驱体溶液中加入N,N`-二甲基乙二胺溶液;
S2、在预处理的ITO导电玻璃上沉积电子传输层;
S3、将步骤S1的钙钛矿前驱体溶液旋涂在步骤S2的电子传输层上,生成黑色的钙钛矿薄膜即为钝化后的钙钛矿薄膜层。
4.根据权利要求2所述的一种钝化钙钛矿薄膜层的方法,其特征在于,所述N,N`-二甲基乙二胺前驱体溶液的浓度为0.3mM-300mM。
5.根据权利要求4所述的一种钝化钙钛矿薄膜层的方法,其特征在于,所述N,N`-二甲基乙二胺前驱体溶液的浓度为15mM-30mM。
6.根据权利要求3所述的一种钝化钙钛矿薄膜层的方法,其特征在于,所述N,N`-二甲基乙二胺在钙钛矿前驱体溶液中的终浓度为0.002M-0.1M。
7.根据权利要求6所述的一种钝化钙钛矿薄膜层的方法,其特征在于,所述N,N`-二甲基乙二胺在钙钛矿前驱体溶液中的终浓度为3mM-20mM。
8.根据权利要求2或3所述的一种钝化钙钛矿薄膜层的方法,其特征在于,所述钙钛矿为ABX3材料,其中A选自Cs+、CH3NH3+、Rb+、FA+中的一种或多种;B为Pb2+;X选自I-、Br-、CL-中的一种或多种;所述钙钛矿前驱体溶液的浓度为1.4M-2.4M。
9.采用权利要求1-8任一项所述的钝化方法制备得到的钙钛矿薄膜层。
10.权利要求9所述的钙钛矿薄膜层在太阳能电池中的应用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





