[发明专利]一种实现无预镀层引线框架表面引线键合的方法在审
| 申请号: | 202111045874.5 | 申请日: | 2021-09-07 |
| 公开(公告)号: | CN113782454A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
| 发明(设计)人: | 陈中洲;张波;王子相 | 申请(专利权)人: | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/607 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 白文佳 |
| 地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 实现 镀层 引线 框架 表面 方法 | ||
1.一种实现无预镀层引线框架表面引线键合的方法,其特征在于,包括:
步骤1,对无预镀层引线框架载体进行去氧化处理,去除表面氧化层;
步骤2,通过电火花,将劈刀口的预留金线熔融成金球;
步骤3,通过键合压力、超声功率将金球压扁于引线框架载体表面,使金焊球成型,同时,成型的金焊球与引线框架载体表面生成金属间化合物,形成键合界面;
步骤4,将金线沿金焊球尾部切断,在引线框架载体表面上载体地线键合点或引线框架内引脚键合点形成金焊球;
步骤5,在预植好金焊球的引线框架载体完成上芯固化;
步骤6,进行芯片焊盘、引线框架载体以及引线框架内引脚的引线键合;其中,无预镀层区域引线键合在预植的金焊球上。
2.根据权利要求1所述的一种实现无预镀层引线框架表面引线键合的方法,其特征在于,步骤2中,通过电火花的电流时间工艺参数包括:烧球电流为28~32mA、烧球直径为2.4~2.8mil。
3.根据权利要求1所述的一种实现无预镀层引线框架表面引线键合的方法,其特征在于,步骤3中,键合工艺参数包括:进行界面键合的键合压力为32~36g。
4.根据权利要求1所述的一种实现无预镀层引线框架表面引线键合的方法,其特征在于,步骤3中,金焊球成型的厚度为15%的球径~45%的球径。
5.根据权利要求1所述的一种实现无预镀层引线框架表面引线键合的方法,其特征在于,步骤3中,超声功率参数包括:超声电流为190~210mA,键合时间为18~24ms。
6.根据权利要求1所述的一种实现无预镀层引线框架表面引线键合的方法,其特征在于,去除表面氧化层后,对待预植金焊球的引线框架载体进行等离子清洗。
7.根据权利要求1所述的一种实现无预镀层引线框架表面引线键合的方法,其特征在于,引线框架载体为铜引线框架载体。
8.根据权利要求1所述的一种实现无预镀层引线框架表面引线键合的方法,其特征在于,步骤2、步骤3、步骤4和步骤6所述的过程在KS压焊机上进行。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安微电子技术研究所,未经西安微电子技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111045874.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





