[发明专利]电源检测电路及集成电路芯片

权利要求书

1.一种电源检测电路，其特征在于，包括：

反馈取样单元，其一端接入所述电源检测电路的输入端，所述电源检测电路的输入端用于外接电源电压，所述反馈取样单元用于对所述电源电压采样并形成反馈电压；所述反馈取样单元包括电阻组件及为NMOS管的第一MOS管，所述第一MOS管的源极和漏极分别连接在所述电阻组件上，用于通过自身处于导通区或截止区而实现所述电阻组件的阻值改变；

开关单元，其包括为PMOS管的第二MOS管，所述第二MOS管的源极接入所述电源检测电路的输入端，漏极接地；

比较器单元，所述比较器单元的第一端接入所述电源检测电路的输入端，第二端与所述第二MOS管的栅极连接，第三端接地，第四端外接一参考电压，第五端用于接收所述反馈取样单元的反馈电压；

反相器单元，其包括第一反相器，所述第一反相器的输入端与所述第二MOS管的漏极连接，所述第一反相器的输出端与所述第一MOS管的栅极连接；所述反相器单元的输入端为所述第一反相器的输入端，所述反相器单元的输出端被配置为所述电源检测电路的输出端；

所述电源检测电路被配置为，基于所述比较器单元检测所述反馈电压大于所述参考电压，驱动所述第二MOS管工作在导通区，进而驱动所述第一MOS管工作在截止区。

2.根据权利要求1所述的电源检测电路，其特征在于，所述开关单元还包括第二电阻，所述第二电阻的第一端接入所述电源检测电路的输入端，第二端接入所述比较器单元的第二端与所述第二MOS管的栅极的连接线路上。

3.根据权利要求3所述的电源检测电路，其特征在于，所述开关单元还包括为NMOS管的第四MOS管，所述第四MOS管的漏极与所述第二MOS管的漏极连接，所述第四MOS管的源极接地，所述第四MOS管的栅极外接一偏置电压。

4.根据权利要求1所述的电源检测电路，其特征在于，所述反馈取样单元的电阻组件包括第一电阻，所述第一MOS管的源极和漏极分别连接在所述第一电阻的两端。

5.根据权利要求4所述的电源检测电路，其特征在于，所述反馈取样单元还包括第三电阻和第四电阻，所述第三电阻和所述第四电阻依次串联在所述电源检测电路的输入端与所述第一电阻的连接线路上。

6.根据权利要求5所述的电源检测电路，其特征在于，所述比较器单元的第三端接入所述第三电阻和第四电阻的连接线路上，以接收所述反馈取样单元形成的反馈电压。

7.根据权利要求1所述的电源检测电路，其特征在于，所述反相器单元还包括第二反相器，所述第二反相器的输入端连接所述第一反相器的输入端，所述第二反相器的输出端被配置为所述反相器单元的输出端。

8.根据权利要求7所述的电源检测电路，其特征在于，所述反相器单元包括至少一个依次串联的所述第二反相器，所述第二反相器的数量与所述电源检测电路的输出端的期望输出电平相适配。

9.根据权利要求1所述的电源检测电路，其特征在于，所述比较器单元包括均为PMOS管的第五MOS管和第六MOS管，均为NMOS管的第七MOS管、第八MOS管和第三MOS管；

所述第五MOS管的源极和所述第六MOS管的源极连接，并被配置为所述比较器单元的第一端；

所述第七MOS管的源极和所述第八MOS管的源极共同接入所述第三MOS管的漏极，所述第三MOS管的栅极外接一偏置电压，所述第三MOS管的源极被配置为所述比较器单元的第四端；

所述第五MOS管的漏极与所述第七MOS管的漏极连接；所述第五MOS管的栅极与所述第六MOS管的栅极连接，并共同接入所述第五MOS管的漏极与所述第七MOS管的漏极的连接线路上；

所述第六MOS管的漏极与所述第八MOS管的漏极连接，并自二者的漏极的连接线路上引出所述比较器单元的第二端；

所述第七MOS管的栅极被配置为所述比较器单元的第五端；

所述第八MOS管的栅极被配置为所述比较器单元的第三端。

10.一种集成电路芯片，其特征在于，包括根据权利要求1～9中任一项所述的电源检测电路。