[发明专利]显示装置有效
| 申请号: | 202111043819.2 | 申请日: | 2021-09-07 |
| 公开(公告)号: | CN113763818B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
| 发明(设计)人: | 张洲;查国伟;刘广辉;李治福;闫晓林;冯万良 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | G09F9/30 | 分类号: | G09F9/30;G09F9/33;G09G3/20;G09G3/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨瑞 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置具有第一承载面和第二承载面,所述显示装置包括:
多个显示模块,设置于所述第一承载面上,每个所述显示模块用于接收对应的显示信号,每个显示信号的参数小于或等于对应显示模块的处理能力峰值且每个所述显示模块包括多个显示单元;
第一功能元件,位于所述第一承载面上,且设置于多个所述显示单元之间,所述第一功能元件选自晶体管、电阻、电感以及电容中的任意一种或多种;以及
第二功能元件,位于所述第二承载面上;
其中,所述第一功能元件的功能与所述第二功能元件的功能相同,且所述第一功能元件的处理能力与所述第二功能元件的处理能力不同;
其中,所述处理能力包括处理能力峰值,所述第一功能元件的处理能力峰值与所述第二功能元件的处理能力峰值不同。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述处理能力峰值包括频率峰值,所述第一功能元件的频率峰值与所述第二功能元件的频率峰值不同。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述第一功能元件与所述第二功能元件均为薄膜晶体管,所述第一功能元件的频率峰值小于所述第二功能元件的频率峰值;
第一功能元件和所述第二功能元件均为非晶硅薄膜晶体管、金属氧化物薄膜晶体管以及低温多晶硅薄膜晶体管中的一者,且所述第一功能元件的尺寸小于所述第二功能元件的尺寸;或,
所述第一功能元件选自非晶硅薄膜晶体管以及金属氧化物薄膜晶体管中的至少一者,所述第二功能元件为低温多晶硅薄膜晶体管;或,
所述第一功能元件为非晶硅薄膜晶体管,所述第二功能元件选自金属氧化物薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一功能元件的处理能力对应的第一信号类型与所述第二功能元件的处理能力对应的第二信号类型不同。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,所述第一信号类型选自模拟信号或数字信号中的一者,所述第二信号类型选自模拟信号或数字信号中的另一者。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述第一功能元件与所述第二功能元件均为薄膜晶体管,所述第一信号类型为数字信号,所述第二信号类型为模拟信号;
第一功能元件和所述第二功能元件均为非晶硅薄膜晶体管、金属氧化物薄膜晶体管以及低温多晶硅薄膜晶体管中的一者,且所述第一功能元件的尺寸小于所述第二功能元件的尺寸;或,
所述第一功能元件选自非晶硅薄膜晶体管以及金属氧化物薄膜晶体管中的至少一者,所述第二功能元件为低温多晶硅薄膜晶体管;或,
所述第一功能元件为非晶硅薄膜晶体管,所述第二功能元件选自金属氧化物薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管中的至少一者。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一功能元件与所述第二功能元件的类型和尺寸中的至少一种不同。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置包括第一基板,所述第一承载面和所述第二承载面分别位于所述第一基板相对的两侧,或,所述第一承载面和所述第二承载面位于所述第一基板的同一侧且所述第一承载面与所述第二承载面之间设置有绝缘层。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括导电连接件;
所述第一承载面和所述第二承载面分别位于所述第一基板相对的两侧,所述导电连接件设置于所述第一基板的侧面,且所述导电连接件电性连接所述第一功能元件和所述第二功能元件;或,
所述第一承载面和所述第二承载面位于所述第一基板的同一侧且所述第一承载面与所述第二承载面之间设置有绝缘层,所述绝缘层上设置有过孔,所述导电连接件设置于所述过孔中,所述导电连接件电性连接所述第一功能元件和所述第二功能元件。
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