[发明专利]半导体热处理设备的气体喷射装置及半导体热处理设备

权利要求书

1.一种半导体热处理设备的气体喷射装置，其特征在于，包括用于向所述半导体热处理设备的工艺腔室中输送工艺气体的进气管，所述进气管包括第一管段和第二管段，其中，所述第一管段竖直设置在所述工艺腔室中，且所述第一管段的上端是封闭的，所述第一管段的下端与所述第二管段的上端连接，所述第二管段的下端与气源连接；

所述第一管段包括第一管壁和嵌套在所述第一管壁中的第二管壁，且所述第一管壁的内壁与所述第二管壁的外壁之间构成缓冲空间；所述第二管壁的内部与所述第二管段相连通，其中，在所述第一管壁上沿竖直方向均匀分布有多个第一气孔，所述第一气孔分别与所述缓冲空间和所述工艺腔室相连通；在所述第二管壁上设置有多个第二气孔，所述第二气孔分别与所述第二管壁的内部和所述缓冲空间相连通；

所述第二管壁的内径在竖直方向上的变化规则和/或多个所述第二气孔的排布规则满足：使经由多个所述第二气孔流入所述缓冲空间中的工艺气体在竖直方向上不同位置处的出气量相同。

2.根据权利要求1所述的气体喷射装置，其特征在于，多个所述第二气孔的排布规则包括：多个所述第二气孔的排布密度由下而上逐渐增大。

3.根据权利要求2所述的气体喷射装置，其特征在于，多个所述第二气孔沿所述第二管壁的轴向排成至少一列第二气孔列，每一列第二气孔列中有多个所述第二气孔，且沿竖直方向间隔设置，并且相邻两个所述第二气孔之间的竖直间距由下而上逐渐减小。

4.根据权利要求3所述的气体喷射装置，其特征在于，多个所述第二气孔排成一列第二气孔列，多个所述第一气孔排成一列第一气孔列，且所述第二气孔的出气方向与所述第一气孔的出气方向相反。

5.根据权利要求1所述的气体喷射装置，其特征在于，所述第二管壁的内径在竖直方向上的变化规则包括：所述第二管壁的内径由下而上逐渐减小；或者，

所述第二管壁包括沿竖直方向依次设置的多个直管段，且多个所述直管段的内径由下而上逐渐减小。

6.根据权利要求1所述的气体喷射装置，其特征在于，多个所述第一气孔沿所述第一管壁的轴向排成多列第一气孔列，每一列第一气孔列中有多个所述第一气孔，且沿竖直方向间隔设置。

7.根据权利要求1或6所述的气体喷射装置，其特征在于，所述第一管壁上与各个相邻两个承载面之间的间隔相对应的分区中分布有至少一个所述第一气孔；所述承载面为设置在所述工艺腔室中的承载装置所具有的用于承载晶圆的表面。

8.根据权利要求7所述的气体喷射装置，其特征在于，所述分区中的所有的所述第一气孔的轴线的高度均与所述间隔的中点高度相同。

9.根据权利要求1所述的气体喷射装置，其特征在于，所述第二管段的管壁与所述第二管壁连为一体，且所述第二管段的内径与所述第二管壁的内径相同，并且所述第一管壁的下端设置有第一封闭部，所述第一封闭部与所述第二管壁的外壁密封连接。

10.根据权利要求1所述的气体喷射装置，其特征在于，所述第二管段的管壁与所述第一管壁连为一体，且所述第二管段的外径和内径分别等于所述第一管壁的外径和内径，并且所述第二管壁的下端设置有第二封闭部，所述第二封闭部与所述第一管壁的内壁密封连接。

11.根据权利要求1所述的气体喷射装置，其特征在于，所述第一气孔的直径的取值范围为大于等于0.1mm，且小于等于40mm；竖直方向上相邻两个所述第一气孔之间的间距的取值范围为大于等于1mm，且小于等于200mm。

12.根据权利要求3所述的气体喷射装置，其特征在于，所述第二气孔的直径的取值范围为大于等于0.1mm，且小于等于20mm；同一列第二气孔列中相邻两个所述第二气孔之间的竖直间距的取值范围为大于等于1mm，且小于等于500mm。

13.一种半导体热处理设备，包括工艺腔室和设置在所述工艺腔室中的承载装置，所述承载装置具有沿竖直方向间隔设置的多个用于承载晶圆的承载面，其特征在于，还包括权利要求1-12任意一项所述的气体喷射装置，其中，所述进气管设置在所述承载装置的一侧，用于向所述工艺腔室中通入工艺气体。