[发明专利]光模块

说明书

本发明提供一种光模块，其目的在于抑制特性阻抗的下降。光模块具有：光半导体元件(10)，其具有半导体激光器(12)的阳极电极(16)、光调节器(14)的阳极电极(18)以及在半导体激光器及光调节器中共通的阴极电极(20)；旁通电容器(22)，其具有下电极(24)以及上电极(26)且并联连接于半导体激光器；电介质基板(28)，其具有上表面及下表面，光半导体元件以及旁通电容器表面安装在上表面，在上表面具有接合阴极电极以及下电极的导体图案(30)；支撑电介质基板的下表面的导体块(58)。旁通电容器的下电极包括与电介质基板的上表面重合的重合区域(36)、从电介质基板的上表面突出的悬垂区域(38)。

技术领域

本发明涉及光模块。

背景技术

在光模块中不仅要求高速化还要求低消耗电力化。在50Gbit/s级的高速动作中适用电场吸收型调节器集聚激光器(EML)。EML是集聚有激光二极管(LD)与电场吸收型(EA)调节器的光半导体元件，LD以及EA调节器共有阴极电极(专利文献1)。若为了低消耗电力化而用差动信号驱动EML，则由于调节电信号从阴极电极流入LD，因此波形品质劣化。为了防止该情况，在LD的阳极与阴极之间连接有旁通电容器。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2019-134056号公报

为了适用表面安装并在基板上安装旁通电容器，必须扩大配线图案的面积，因此特性阻抗下降而波形品质下降。

发明内容

本发明的目的在于抑制特性阻抗的下降。

(1)本发明的光模块的特征在于，具有：光半导体元件，其集聚有半导体激光器以及光调节器，具有上述半导体激光器的阳极电极、上述光调节器的阳极电极、以及在上述半导体激光器及上述光调节器中共通的阴极电极；旁通电容器，其具有下电极及上电极且并联连接于上述半导体激光器；电介质基板，其具有上表面以及下表面，上述光半导体元件以及上述旁通电容器表面安装在上述上表面上，且在上述上表面具有接合有上述阴极电极以及上述下电极的导体图案；以及导体块，其支撑上述电介质基板的上述下表面，上述旁通电容器的上述下电极包括与上述电介质基板的上述上表面重合的重合区域和从上述电介质基板的上述上表面突出的悬垂区域。

根据本发明，电介质基板未介于旁通电容器的下电极的悬垂区域与导体块之间。因此，寄生电容变小，能够抑制特性阻抗的下降。

(2)根据(1)所述的光模块，其特征在于，上述导体图案包括与上述阴极电极接合的结合部和在从上述结合部向上述旁通电容器的方向延伸且至少局部与上述下电极重合的延长部，上述延长部的位于上述下电极的外侧的部分的面积比上述下电极的上述悬垂区域的面积小。

(3)根据(2)所述的光模块，其特征在于，上述延长部包括与上述重合区域接合的垫片、连接上述结合部和上述垫片的线。

(4)根据(2)或(3)所述的光模块，其特征在于，还具有介于上述下电极的上述重合区域与上述导体图案的上述延长部之间且电连接上述重合区域和上述延长部的衬垫。

(5)本发明的光模块的特征在于，具有：光半导体元件，其集聚有半导体激光器以及光调节器，具有上述半导体激光器的阳极电极、上述光调节器的阳极电极、以及在上述半导体激光器及上述光调节器中共通的阴极电极；旁通电容器，其具有下电极及上电极且并联连接于上述半导体激光器；电介质基板，其具有上表面及下表面，上述光半导体元件及上述旁通电容器表面安装在上述上表面上，且在上述上表面具有连接上述阴极电极及上述下电极的导体图案；衬垫，其介于上述旁通电容器与上述导体图案之间，且电连接上述旁通电容器和上述导体图案；以及导体块，其支撑上述电介质基板的上述下表面，上述导体图案包括与上述阴极电极接合的结合部以及连接于上述下电极的垫片，上述下电极的面积上比上述垫片的面积大。

根据本发明，由于旁通电容器的下电极从导体块离开，因此寄生电容变小，能够抑制特性阻抗的下降。