[发明专利]磁光薄膜、光隔离器以及制造磁光薄膜的方法在审
| 申请号： | 202111040113.0 | 申请日： | 2021-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN113741068A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 陈蓉;曹坤;熊英飞;金泽睿;周华俊;李浩华;张斌 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/09 | 分类号： | G02F1/09;C30B29/28;C30B29/16;C30B28/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 罗利娜 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 隔离器 以及 制造 方法 | ||
1.一种磁光薄膜，其特征在于，包括：
基底；
设置在所述基底之上的扩散阻挡层，所述扩散阻挡层包含金属氧化物；
设置在所述扩散阻挡层之上的缓冲层；以及
设置在所述缓冲层之上的光隔离层。
2.根据权利要求1所述的磁光薄膜，其特征在于，所述金属氧化物包括氧化镁(MgO)和氧化锌(ZnO)中的至少一项。
3.根据权利要求2所述的磁光薄膜，其特征在于，所述扩散阻挡层的厚度在10nm以下。
4.根据权利要求3所述的磁光薄膜，其特征在于，所述扩散阻挡层的厚度在3nm与8nm之间的范围内。
5.根据权利要求1所述的磁光薄膜，其特征在于，所述基底包含以下至少一项：硅(Si)、绝缘体上硅(SOI)、以及氮化硅(SiN)。
6.根据权利要求1所述的磁光薄膜，其特征在于，所述缓冲层包含钇铁石榴石(YIG)。
7.根据权利要求6所述的磁光薄膜，其特征在于，所述缓冲层的厚度在90nm与110nm之间的范围内。
8.根据权利要求6所述的磁光薄膜，其特征在于，所述光隔离层包含稀土掺杂的钇铁石榴石。
9.根据权利要求8所述的磁光薄膜，其特征在于，所述稀土掺杂的钇铁石榴石包括铈掺杂的钇铁石榴石(Ce:YIG)。
10.一种光隔离器，其特征在于，包括根据权利要求1至9中任一项所述的磁光薄膜。
11.一种制造磁光薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤1：在基底上沉积扩散阻挡层，所述扩散阻挡层包含金属氧化物；
步骤2：在所述扩散阻挡层上沉积包含钇铁石榴石(YIG)的缓冲层；
步骤3：将步骤2中得到的膜层放入沉积腔体中原位退火，通入气压为0.01Pa-10Pa的氧气，升温至600-800℃，保温3-5分钟，自然冷却至室温；以及
步骤4：将步骤3中得到的膜层置于650-700℃，氧气气氛，氧气分压为0-100mTorr，沉积包含铈掺杂的钇铁石榴石(Ce:YIG)的光隔离层，从而制得所述磁光薄膜。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物包括(MgO)和氧化锌(ZnO)中的至少一项。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述扩散阻挡层的厚度在10nm以下。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述扩散阻挡层的厚度在3nm与8nm之间的范围内。
15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述基底包含以下至少一项：硅(Si)、绝缘体上硅(SOI)、以及氮化硅(SiN)。
16.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度在90nm与110nm之间的范围内。
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