[发明专利]三维存储器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111036499.8 申请日: 2021-09-06
公开(公告)号: CN113745229A 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 张坤;周文犀 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L27/11548 分类号: H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11575;H01L27/11582;H01L25/18
代理公司: 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 代理人: 刘莹;聂国斌
地址: 430000 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 三维 存储器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种三维存储器,包括:

位于衬底或半导体层一侧的叠层结构;

栅线隙结构,贯穿所述叠层结构;以及

多个连接结构,位于所述栅线隙结构上,并连接所述叠层结构分别位于所述栅线隙结构两侧的部分,使得所述栅线隙结构的顶部部分分段。

2.根据权利要求1所述的三维存储器,其中,所述栅线隙结构沿着平行于所述衬底或所述半导体层的第一方向延伸,并沿着平行于所述衬底或所述半导体层的与所述第一方向垂直的第二方向以预定间隔平行排列,所述多个连接结构位于所述栅线隙结构中的一个或多个上。

3.根据权利要求2所述的三维存储器,其中,所述多个连接结构中的相邻的连接结构在所述第二方向上彼此对准或彼此交错排列。

4.根据权利要求2所述的三维存储器,其中,所述多个连接结构中的位于同一栅线隙结构上的连接结构在所述第一方向上以相同间隔均匀分布。

5.根据权利要求2所述的三维存储器,其中,所述多个连接结构位于由所述栅线隙结构中的相邻的两个栅线隙结构组成的组上,并且所述多个连接结构中的相邻的连接结构在所述第二方向上彼此交错排列,所述多个连接结构中的位于同一栅线隙结构上的连接结构在所述第一方向上以相同间隔均匀分布,其中所述组通过一个其上未形成有所述多个连接结构的栅线隙结构彼此间隔开。

6.根据权利要求1所述的三维存储器,其中,所述连接结构包括绝缘材料。

7.根据权利要求1所述的三维存储器,还包括:

多个沟道结构,贯穿所述叠层结构,并且分布在所述栅线隙结构中的相邻的栅线隙结构之间,

其中,所述叠层结构包括交替叠置的栅极层和绝缘层,并且所述栅极层与所述沟道结构之间形成有阻挡层。

8.根据权利要求7所述的三维存储器,其中,所述栅线隙结构包括绝缘材料,使得所述栅极层分别位于所述栅线隙结构两侧的部分彼此电绝缘。

9.一种制备三维存储器的方法,包括:

在衬底的一侧形成叠层结构;

形成贯穿所述叠层结构的栅线缝隙;以及

在所述栅线缝隙的顶部区域中形成多个连接结构,以连接所述叠层结构分别位于所述栅线缝隙两侧的部分,使得所述栅线缝隙的顶部区域分段。

10.根据权利要求9所述的方法,其中,形成所述多个连接结构的步骤包括:

在所述栅线缝隙中设置填充物;

在所述填充物的预设位置处形成凹槽,所述凹槽的深度小于所述栅线缝隙的深度;

在所述凹槽中填充绝缘材料以形成所述连接结构;以及

去除所述填充物。

11.根据权利要求10所述的方法,其中,形成所述凹槽包括:通过光刻方法形成所述凹槽。

12.根据权利要求9所述的方法,其中,所述叠层结构包括交替叠置的牺牲层和绝缘层,所述方法还包括:

经由所述栅线缝隙去除所述牺牲层以形成栅极间隙;

形成阻挡层以覆盖所述栅极间隙的内壁和所述栅线缝隙的侧壁;

在所述栅极间隙的内壁上的所述阻挡层上形成栅极层;以及

在所述栅线缝隙中形成栅线隙结构。

13.根据权利要求10或12所述的方法,其中,所述填充物包括与所述牺牲层的材料相同的材料。

14.根据权利要求12所述的方法,其中,去除所述填充物包括一并去除所述牺牲层。

15.根据权利要求9所述的方法,还包括:在所述栅线缝隙中的相邻的栅线缝隙之间形成贯穿所述叠层结构的沟道结构。

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