[发明专利]一种模块电源高端电流检测放大电路

权利要求书

1.一种模块电源高端电流检测放大电路，其特征在于，包括采样电阻R1，三极管Q1、Q2、Q3，电阻R2、R3、R4、R5、R6、R7和电容C1；

所述采样电阻R1一端连接所述R2一端和输入正端，另一端连接所述R3一端，所述R2另一端连接所述Q1的E极和所述Q3的E极，所述R3另一端连接所述Q2的E极；所述Q1的C极接所述R4一端，所述Q2的C极连接所述R5一端，所述Q3的C极连接所述R6一端和所述R7一端，所述R4、所述R5和所述R6的另一端连接输入负端，所述Q1的B极、C极和所述Q2的B极连接，所述Q3的B极连接所述Q2的C极，所述R7另一端连接所述电容C1一端，所述电容C1另一端连接所述输入负端；

所述R2的电阻值等于所述R3的电阻值，所述R4的电阻值等于所述R5的电阻值；

所述R7的一端为采样点，用于采样进行电流检测。

2.如权利要求1所述的模块电源高端电流检测放大电路，其特征在于，所述模块电源高端电流检测放大电路用于FLYBACK电路，以及正激、半桥、全桥和有源钳位正激电路。

3.如权利要求1所述的模块电源高端电流检测放大电路，其特征在于，所述Q1、所述Q2和所述Q3为PNP三极管。

4.如权利要求3所述的模块电源高端电流检测放大电路，其特征在于，所述Q1和所述Q2的参数相同。

5.如权利要求4所述的模块电源高端电流检测放大电路，其特征在于，所述Q1和所述Q2采用集成双PNP三极管封装的芯片。

6.如权利要求1所述的模块电源高端电流检测放大电路，其特征在于，所述采样电阻R1为毫欧级合金电阻。

7.如权利要求1所述的模块电源高端电流检测放大电路，其特征在于，所述R2和所述R3的阻值为510Ω，所述R4和所述R5的阻值为为200k，R6优选阻值为20kΩ，所述R7的阻值为1kΩ，所述电容C1的容值为330pF。