[发明专利]一种Micro-LED显示面板及其制备方法

权利要求书

1.一种Micro-LED显示面板的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤（1）：提供第一基板，所述第一基板包括多个薄膜晶体管设置区和多个Micro-LED安装区，接着在所述第一基板的每个所述Micro-LED安装区均形成一第一通孔；

步骤（2）：接着在所述第一基板上沉积金属材料以形成第一金属层，所述第一金属层填充所述第一通孔，接着对所述第一金属层进行图案化处理，以在每个所述薄膜晶体管设置区形成一金属栅电极，并在每个所述Micro-LED安装区形成一第一导热部；

步骤（3）：接着在所述第一基板上沉积绝缘材料以形成栅电极绝缘层，接着在所述栅电极绝缘层上沉积半导体材料以形成半导体有源层，并对所述半导体有源层进行图案化处理，以在每个所述薄膜晶体管设置区形成一半导体有源单元；

步骤（4）：接着对所述栅电极绝缘层进行刻蚀处理以形成暴露所述第一导热部的第二通孔；

步骤（5）：接着在所述栅电极绝缘层上沉积金属材料以形成第二金属层，所述第二金属层填充所述第二通孔，接着对所述第二金属层进行图案化处理，以在每个所述薄膜晶体管设置区形成一源电极和一漏电极，并在每个所述Micro-LED安装区形成一第二导热部，所述第二导热部接触所述第一导热部；

步骤（6）：接着沉积绝缘材料以形成第一绝缘层，所述第一绝缘覆盖所述半导体有源单元、所述源电极、所述漏电极和所述第二导热部；

步骤（7）：接着在所述第一绝缘层上形成一平坦化层，接着在所述第一绝缘层和所述平坦化层中形成暴露所述第二导热部的第三通孔，接着在所述第三通孔中沉积金属材料以形成第三导热部，所述第三导热部接触所述第二导热部；

步骤（8）：接着在所述平坦化层上形成第一粘结层，所述第一粘结层仅覆盖所述Micro-LED安装区；

步骤（9）：接着在第二基板上形成第二导电层、半导体功能层和透明导电层，通过图案化处理以形成多个Micro-LED；

步骤（10）：将所述第二基板上的所述Micro-LED转移至所述第一基板的所述Micro-LED安装区，使得每个所述Micro-LED的第二导电层粘结至所述第一粘结层；

步骤（11）：接着在所述第一绝缘层和所述平坦化层中形成暴露所述漏电极的第四通孔，接着沉积金属材料以形成第三金属导电层，所述第三金属导电层填充所述第四通孔并将所述漏电极与所述第二导电层电连接。

2.根据权利要求1所述的Micro-LED显示面板的制备方法，其特征在于：在所述步骤（9）中，所述第二导电层包括铜、铝、钛、钯、银、镍、石墨烯、钼、金中的一种或多种的组合，所述半导体功能层包括N型层、量子阱发光层和P型层，所述透明导电层包括氧化铟锡、氧化铟锌、铝掺杂氧化锌、氧化铟、氧化铟镓中的一种或多种的组合。

3.根据权利要求1所述的Micro-LED显示面板的制备方法，其特征在于：在所述步骤（9）中，每个所述Micro-LED包括功能核心区域和外围辅助区域，所述外围辅助区域包围所述功能核心区域，对所述外围辅助区域进行刻蚀处理，以在每个所述Micro-LED的四个侧面上均形成一转移辅助部。

4.根据权利要求3所述的Micro-LED显示面板的制备方法，其特征在于：在所述步骤（9）和步骤（10）之间，提供第一转移基板，将多个所述Micro-LED的功能核心区域和转移辅助部均粘结至所述第一转移基板，接着去除所述第二基板。

5.根据权利要求4所述的Micro-LED显示面板的制备方法，其特征在于：在所述步骤（10）中，利用所述第一转移基板将所述Micro-LED转移至所述第一基板的所述Micro-LED安装区，接着通过切割工艺或刻蚀工艺去除每个所述Micro-LED的侧面的转移辅助部。

6.根据权利要求1所述的Micro-LED显示面板的制备方法，其特征在于：在所述步骤（11）之后，先形成一保护层，所述保护层覆盖所述Micro-LED的表面和侧面以及所述第三金属导电层。