[发明专利]高密发光二极管芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种高密发光二极管芯片，其特征在于，所述高密发光二极管芯片包括透明基板、以及依次层叠在所述透明基板上的蓝光外延层、绿光外延层和红光外延层，所述蓝光外延层、所述绿光外延层和所述红光外延层依次键合，且所述蓝光外延层、所述绿光外延层和所述红光外延层上均具有N型电极和P型电极；

所述蓝光外延层和所述绿光外延层之间具有一层第一滤光层，所述第一滤光层用于阻挡蓝光，所述绿光外延层和所述红光外延层之间具有一层第二滤光层，所述第二滤光层用于阻挡蓝光和绿光。

2.根据权利要求1所述的高密发光二极管芯片，其特征在于，所述第一滤光层包括a个周期交替生长的氧化硅层和氧化钛层，12≤a≤16，每层所述氧化硅层的厚度为70～72nm，每层所述氧化钛层的厚度为42～45nm。

3.根据权利要求1所述的高密发光二极管芯片，其特征在于，所述第二滤光层包括b个周期交替生长的氧化硅层和氧化钛层，24≤b≤32，其中，前b1个周期中，每层所述氧化硅层的厚度为70～72nm，每层所述氧化钛层的厚度为42～45nm，后b2个周期中，每层所述氧化硅层的厚度为81～83nm，每层所述氧化钛层的厚度为49～52nm，b＝b1+b2，12≤b1≤16，12≤b2≤16。

4.根据权利要求2所述的高密发光二极管芯片，其特征在于，所述蓝光外延层和所述绿光外延层之间、所述绿光外延层和所述红光外延层之间均通过键合层进行键合，所述键合层为氧化硅层。

5.根据权利要求1所述的高密发光二极管芯片，其特征在于，所述红光外延层的与所述绿光外延层接触的一面为经过图形化处理的表面。

6.根据权利要求1所述的高密发光二极管芯片，其特征在于，所述蓝光外延层上的P型电极为Cr/Al/Ti/Ni/W多层结构，N型电极为Cr/Pt/Au多层结构；

所述绿光外延层上的P型电极为Cr/Al/Ti/Ni/W多层结构，N型电极为Cr/W/Au多层结构；

所述红光外延层上的P型电极为AuBe/Au/Ti/Ni/W多层结构，N型电极为AuGe/Pt/Au多层结构。

7.根据权利要求6所述的高密发光二极管芯片，其特征在于，所述高密发光二极管芯片还包括多个焊点，所述多个焊点均位于所述红光外延层的远离所述透明基板的一面上，所述多个焊点包括P型焊点、蓝光焊点、绿光焊点和红光焊点；

所述P型焊点分别与所述蓝光外延层、所述绿光外延层和所述红光外延层上的三个P型电极连接，所述蓝光焊点与所述蓝光外延层上的N型电极连接，所述绿光焊点与所述绿光外延层上的N型电极连接，所述红光焊点与所述红光外延层上的N型电极连接。

8.根据权利要求7所述的高密发光二极管芯片，其特征在于，所述P型焊点为Cr/Pt/Au焊点，所述蓝光焊点为Nb焊点，所述绿光焊点为Ng焊点，所述红光焊点为Nr焊点。

9.一种高密发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一蓝光外延片、一绿光外延层和一红光外延层，所述蓝光外延片包括透明基板和蓝光外延层，且所述蓝光外延层、所述绿光外延层和所述红光外延层上均具有N型电极和P型电极；

在所述蓝光外延片上形成一层第一滤光层，所述第一滤光层用于阻挡蓝光；

将所述绿光外延层键合到所述蓝光外延片上，使所述第一滤光层位于所述蓝光外延层和所述绿光外延层之间；

在所述绿光外延层上形成一层第二滤光层，所述第二滤光层用于阻挡蓝光和绿光；

将所述红光外延层键合到所述绿光外延层上，使所述第二滤光层位于所述绿光外延层与所述红光外延层之间。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，将所述红光外延层键合到所述绿光外延层上之前，所述制造方法还包括：

对所述红光外延片的表面进行图形化处理。