[发明专利]一种瞬态有机场效应晶体管及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种瞬态有机场效应晶体管，由下至上依次为衬底、栅极、绝缘层、有机半导体层、源电极和漏电极；其特征在于：

所述绝缘层由天然高分子形成，厚度为150nm～350nm。

2.根据权利要求1所述的瞬态有机场效应晶体管，其特征在于：所述天然高分子为淀粉、葡聚糖、普鲁兰多糖和果胶中任一种。

3.根据权利要求1或2所述的瞬态有机场效应晶体管，其特征在于：所述衬底为硬质衬底或柔性衬底；

所述硬质衬底为硅、二氧化硅或玻璃；

所述柔性衬底为聚对苯二甲酸乙二酯。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的瞬态有机场效应晶体管，其特征在于：所述栅极的材质为PEDOT与PSS的混合物、金、铝、银或铜；

所述栅极的厚度为10nm～50nm；

所述有机半导体层的材质为C8-BTBT、TIPS-并五苯或DNT；

所述有机半导体层的厚度为10～50nm；

所述源电极和漏电极的材质均为金、银、铝或铜；

所述源电极和漏电极的厚度均为10～50nm。

5.权利要求1-4中任一项所述瞬态有机场效应晶体管的制备方法，包括如下步骤：

S1、在所述衬底上制备所述栅极；

S2、在所述栅极上旋涂所述天然高分子的溶液，经固化得到所述绝缘层；所述溶液中含有交联剂；

S3、在所述聚合物层上制备所述有机半导体层；

S4、在所述有机半导体层上沉积金属得到所述源电极和所述漏电极。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：步骤S1之前，所述方法还包括在所述衬底表面修饰十八烷基三氯硅烷的步骤；

采用液相法修饰所述十八烷基三氯硅烷。

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于：步骤S1中，采用旋涂或蒸镀的方式制备所述栅极；

步骤S2中，所述溶液中，所述天然高分子的质量浓度为3～10％，所述交联剂的质量浓度为25～50％

所述固化的温度为70℃～110℃，时间为1h～3h；

步骤S3中，采用液相沉积或气相真空蒸镀的方式制备所述有机半导体层；

步骤S4中，采用真空沉积的方式制备所述源电极和所述漏电极。

8.一种瞬态有机场效应晶体管阵列，由权利要求1-4中任一项所述瞬态有机场效应晶体管形成。

9.权利要求1-4中任一项所述瞬态有机场效应晶体管或权利要求8所述瞬态有机场效应晶体管阵列在制作环保电子产品中的应用；

所述环保电子产品包括有源矩阵显示器或逻辑电路。