[发明专利]一种键合封装体及其制备方法

权利要求书

1.一种键合封装体的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤（1）：提供第一半导体管芯，所述第一半导体管芯中具有硅通孔；

步骤（2）：将所述第一半导体管芯设置于第一基板上，接着对所述第一半导体管芯进行刻蚀处理，以在所述第一半导体管芯的四周分别形成第一、第二、第三、第四键合部，所述第一、第二、第三、第四键合部分别突出于所述第一半导体管芯的第一、第二、第三、第四侧表面；

步骤（3）：接着对所述第一半导体管芯的上表面进行刻蚀处理，以在所述第一半导体管芯中形成第一凹槽，所述第一凹槽露出所述硅通孔，并在所述第一键合部上形成多个第一凸柱，在所述第二键合部上分别形成多个第二凸柱，在所述第三键合部上形成多个第三凸柱，在所述第四键合部上分别形成多个第四凸柱；

步骤（4）：接着在第一凹槽中暴露的所述硅通孔上形成导电凸块；

步骤（5）：提供第二半导体管芯，所述第二半导体管芯的上表面具有导电焊盘，将所述第二半导体管芯设置于第二基板上，接着对所述第二半导体管芯进行刻蚀处理，以在所述第二半导体管芯的四周分别形成第五、第六、第七、第八键合部，所述第五、第六、第七、第八键合部分别突出于所述第二半导体管芯的第一、第二、第三、第四侧表面；

步骤（6）：接着对所述第二半导体管芯的上表面进行刻蚀处理，以在所述第五、第六、第七、第八键合部上分别形成第一、第二、第三、第四沟槽；

步骤（7）：接着在所述第二半导体管芯的所述导电焊盘上形成环形导电块；

步骤（8）：接着将第二半导体管芯键合至所述第一半导体管芯，使得多个所述第一凸柱嵌入到所述第一沟槽中，多个所述第二凸柱嵌入到所述第二沟槽中，多个所述第三凸柱嵌入到所述第三沟槽中，多个所述第四凸柱嵌入到所述第四沟槽中，并使得所述导电凸块嵌入到所述环形导电块中，进而将所述导电焊盘电连接至所述硅通孔；

步骤（9）：接着去除所述第二基板，然后形成塑封层以包裹所述第一、第二半导体管芯，接着去除所述第一基板；

步骤（10）：接着在所述塑封层上形成重布线层，并在所述重布线层上形成导电焊球。

2.根据权利要求1所述的键合封装体的制备方法，其特征在于：在所述步骤（2）中，将所述第一半导体管芯设置于所述第一基板上之前，在所述第一基板上设置粘结层，进而利用所述粘结层粘结所述第一半导体管芯，通过湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺对所述第一半导体管芯进行刻蚀处理。

3.根据权利要求1所述的键合封装体的制备方法，其特征在于：在所述步骤（3）中，通过去除所述第一、第二、第三、第四键合部的一部分以分别形成多个所述第一、第二、第三、第四凸柱。

4.根据权利要求1所述的键合封装体的制备方法，其特征在于：在所述步骤（4）中，所述导电凸块的材质为铜、铝、钛、钯、银、镍、金中的一种或多种的组合，所述导电凸块通过电镀、化学镀、化学气相沉积或物理气相沉积工艺形成。

5.根据权利要求1所述的键合封装体的制备方法，其特征在于：在所述步骤（5）中，所述第五、第六、第七、第八键合部与所述第一、第二、第三、第四键合部分别一一对应。

6.根据权利要求1所述的键合封装体的制备方法，其特征在于：在所述步骤（7）中，所述环形导电块的材质为铜、铝、钛、钯、银、镍、金中的一种或多种的组合，所述环形导电块通过电镀、化学镀、化学气相沉积或物理气相沉积工艺形成。

7.根据权利要求1所述的键合封装体的制备方法，其特征在于：在所述步骤（8）中，先在所述第一、第二、第三、第四沟槽中设置黏附材料，进而利用所述黏附材料分别粘结所述第一、第二、第三、第四凸柱，在所述环形导电块中设置导电钎料，进而利用所述导电钎料粘结所述导电凸块。

8.一种键合封装体，其特征在于，采用权利要求1-7任一项所述的制备方法形成的。