[发明专利]一种铝/银掺杂碳基纳米薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种铝/银掺杂碳基纳米薄膜，其特征在于，包括基片和碳基纳米薄膜；碳基纳米薄膜设置在基片上，基片为铝合金基片。

2.一种制备权利要求1所述的铝/银掺杂碳基纳米薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：将碳靶安装于磁控溅射设备的直流靶位，将铝靶或银靶安装于磁控溅射的脉冲靶位，将铝合金基片固定于样品盘；

步骤2：关闭腔室盖子，调试磁控设备抽真空并设置好溅射的工艺参数；

步骤3：设备的真空度达到生长的要求之后开始在铝合金基片进行碳和铝/碳和银的共溅射的生长；

步骤4：打开真空腔室盖板，将溅射生长结束的样品取出，得到铝/银掺杂碳基纳米薄膜。

3.根据权利要求2所述的一种铝/银掺杂碳基纳米薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1安装完成之后使用万用表进行导电性的测试，确保阳极盖与腔室的导通，靶材与腔室的短路状态。

4.根据权利要求2所述的一种铝/银掺杂碳基纳米薄膜的制备方法，其特征在于，铝合金基片为表面镀银的铝合金基片，使用之前用酒精、丙酮和去离子水清洗，用氮气吹干之后固定于样品托盘上。

5.根据权利要求2所述的一种铝/银掺杂碳基纳米薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2，待真空腔室的真空度达到10^-5数量级，打开氩气，进行溅射。

6.根据权利要求2所述的一种铝/银掺杂碳基纳米薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3中，设置碳靶材的溅射参数直流功率为50～100W，靶材的溅射参数设置为20～70W，溅射时间为15min～1h。

7.根据权利要求2所述的一种铝/银掺杂碳基纳米薄膜的制备方法，其特征在于，步骤4中，打开真空腔室阀门通入氩气，调整机械泵阀门大小待真空腔室的真空度达到2～10Pa以上，开启直流以及脉冲靶进行启辉和预溅射，预溅射时长1～5min。

8.根据权利要求2所述的一种铝/银掺杂碳基纳米薄膜的制备方法，其特征在于，步骤4中，观察辉光稳定，预溅射结束之后调整腔室气压至0.1～1Pa，然后同时打开两个靶位的盖板进行溅射处理；溅射完成开盖取样即得到所要求制备的样品。