[发明专利]一种改性二氧化硅及硅膏消泡剂的制备方法在审
| 申请号： | 202111025547.3 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN113680107A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 章小蕾 | 申请（专利权）人： | 章小蕾 |
| 主分类号： | B01D19/04 | 分类号： | B01D19/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 324021 浙江省衢*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改性 二氧化硅 硅膏消泡剂 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改性二氧化硅及硅膏消泡剂的制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
S1、将SiO2滤饼与纯水加入烧杯中，在髙速搅拌下分散成乳液，加入一定量的疏水修饰剂和/或亲水修饰剂，调节溶液的pH到一定范围；
S2、然后在50℃、70℃、80℃下分别恒温1h，将溶液减压抽滤得改性SiO2滤饼，干燥、将其粉碎两次后即得到改性纳米SiO2；
S3、最后取一定量粉碎后的改性纳米SiO2与一定量聚二甲基硅氧烷在高速搅拌下升温至一定温度，恒温4h，冷却至室温，即得到硅膏消泡剂。
2.根据权利要求1所述的一种改性二氧化硅及硅膏消泡剂的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中疏水修饰剂为疏水修饰剂M-2。
3.根据权利要求1所述的一种改性二氧化硅及硅膏消泡剂的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中的亲水修饰剂为含氨丙基的亲水修饰剂M-A。
4.根据权利要求1所述的一种改性二氧化硅及硅膏消泡剂的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中的PH范围为8-9。
5.根据权利要求1所述的一种改性二氧化硅及硅膏消泡剂的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中的一定温度为150℃。
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