[发明专利]铜基表面增强拉曼散射基片及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202111025463.X | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN113670892B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 张政军;赵丰通;王炜鹏;单博涵 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;C23C14/16;C23C14/30;C23C16/40;C23C16/455;C23C28/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 曹素云;董永辉 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 增强 散射 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种铜基表面增强拉曼散射基片，其特征在于，包括铜箔基底层和附着在所述铜箔基底层上的银纳米线结构层，其中，
所述铜箔基底层为包覆有三氧化二铝层的铜箔基底层，是通过在铜箔上采用原子层沉积方法包覆三氧化二铝得到；三氧化二铝的包覆厚度为4nm～12nm；铜箔的厚度为20～80微米；
所述银纳米线结构是通过在所述包覆三氧化二铝的铜箔基底上采用电子束蒸发倾斜沉积方法沿铜箔划痕方向沉积银形成。
2.一种铜基表面增强拉曼散射基片的制备方法，其特征在于，包括：
在铜箔上采用原子层沉积方法包覆三氧化二铝，得到包覆三氧化二铝的铜箔基底；其中，三氧化二铝的包覆厚度为4nm～12nm；所述铜箔的厚度为20～80微米；
在所述包覆三氧化二铝的铜箔基底上，采用电子束蒸发倾斜沉积方法沿铜箔划痕方向沉积银，形成银纳米线结构。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，采用原子层沉积方法包覆三氧化二铝的步骤中，温度为80℃～200℃，包覆三氧化二铝的循环数为40～120个循环。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，包覆三氧化二铝的循环数为60～120个循环。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，三氧化二铝的包覆厚度为6nm～12nm。
6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述包覆三氧化二铝的铜箔基底上沉积对应晶振片厚度示数为600nm～1200nm的银纳米线。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述包覆三氧化二铝的铜箔基底上沉积对应晶振片厚度示数为600nm～1000nm的银纳米线。
8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，采用电子束蒸发倾斜沉积方法沿铜箔划痕方向沉积银的步骤中，包括：
在室温条件下，以银为靶材，将电子束蒸发镀膜机腔室抽至1×10-5 Pa～4×10-4 Pa；
将所述包覆三氧化二铝后的铜箔基底贴在基片台上，且使铜箔划痕方向沿竖直方向；
调整基片台法线方向与蒸发束流的入射角到85～89度，在基片台的基底上生长银纳米线。
9.一种如权利要求1所述的铜基表面增强拉曼散射基片在微量有机物检测中的应用。
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