[发明专利]一种NH4

权利要求书

1.一种NH₄NO₃界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，在钙钛矿光吸收层和顶部电荷传输层之间设置NH₄NO₃疏水修饰层。

2.如权利要求1所述的NH₄NO₃界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述NH₄NO₃疏水修饰层的制备采用以下三种方法之一：方法(1)在钙钛矿光吸收层表面滴加NH₄NO₃的异丙醇溶液后高速旋转，制备均匀薄膜；方法(2)将钙钛矿光吸收层浸泡在NH₄NO₃的异丙醇溶液一段时间后在表面形成均匀自组装薄膜；方法(3)将钙钛矿光吸收层浸入NH₄NO₃的异丙醇溶液中，然后以精确控制的均匀速度将其平稳地从溶液中提拉出来，形成均匀薄膜。

3.如权利要求2所述的NH₄NO₃界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述NH₄NO₃疏水修饰层的制备方法是：将NH₄NO₃溶于异丙醇溶液中，室温搅拌12h后过滤，取滤液滴加到钙钛矿光吸收层上，以转速5000rpm，2000rpm/s的加速度旋涂30s，制得疏水修饰层。

4.如权利要求1所述的NH₄NO₃界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池包括自下而上依次叠加设置的透明导电衬底、底部电荷传输层、钙钛矿光吸收层、NH₄NO₃疏水修饰层、顶部电荷传输层和金属背电极层。

5.如权利要求4所述的NH₄NO₃界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池为n-i-p结构时，底部电荷传输层为电子传输层，顶部电荷传输层为空穴传输层；所述钙钛矿太阳能电池为p-i-n结构时，底部电荷传输层为空穴传输层，顶部电荷传输层为电子传输层。

6.如权利要求5所述的NH₄NO₃界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述电子传输层为SnO₂、TiO_x、ZnO、BaSnO₃、SrTiO₃、C₆₀、PCBM、PC₆₁BM中的一种。

7.如权利要求5所述的NH₄NO₃界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述空穴传输层为Spiro-OMeTAD、PEDOT:PPS、P3HT、PTAA、Cu₂O、CuO、CuGaO₂、CuO_x:N、Cu₂S、CuS、CuI、CuSCN、CuPc、MoO_x或NiO中的一种。

8.如权利要求5所述的NH₄NO₃界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿光吸收层的材料分子式为ABX₃，其中A为CH₃NH₃⁺、CH(NH₂)₂⁺或Cs⁺中的一种或多种组合，B为Pb²⁺、Sn²⁺或Ge²⁺中的一种或多种组合，X为I^-、Br^-或Cl^-中的一种或多种组合。